【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件以及一种用于形成该半导体器件的方法。
技术介绍
1、为了实现更具面积和功率效率的电路，垂直半导体器件结构作为传统平面半导体器件的替代品正受到越来越多的关注。一个值得注意的例子是堆叠式晶体管器件，其包括堆叠在彼此之上的互补的一对场效应晶体管(fet)，即在n型fet(nfet)之上的p型fet(pfet)或相反。
技术实现思路
1、本专利技术构思的目标是实现紧凑的半导体器件。具体而言，目标是实现紧凑的静态随机存取存储器。本专利技术构思的另一目标是促成半导体器件的方便和/或低成本制造。本专利技术构思的这些和其他目标至少部分地由如在独立权利要求中限定的本专利技术来满足。在从属权利要求中列出了优选实施例。
2、根据第一方面，提供了一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：
3、在衬底上形成多个层堆叠，该层堆叠横向间隔开，每个层堆叠包括由牺牲层间隔开的半导体材料的沟道层，该多个层堆叠包括至少第一层堆叠和第二层堆叠，每个层堆叠具有下部和上部，该下部和上部...
【技术保护点】
1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二层堆叠的沟道层比所述第一层堆叠的沟道层更宽。
3.如权利要求1所述的方法，其中，对于每个层堆叠，所述相关联的介电层的第一部分和第二部分由不同材料制成。
4.如权利要求1所述的方法，其中，针对每个层堆叠，形成与所述层堆叠相关联的介电层包括：
5.如权利要求1所述的方法，其中，针对每个层堆叠，形成与所述层堆叠相关联的介电层包括：
6.如权利要求1所述的方法，其中所述牺牲结构包括非晶硅或多晶硅。
7.如权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二层堆叠的沟道层比所述第一层堆叠的沟道层更宽。
3.如权利要求1所述的方法，其中，对于每个层堆叠，所述相关联的介电层的第一部分和第二部分由不同材料制成。
4.如权利要求1所述的方法，其中，针对每个层堆叠，形成与所述层堆叠相关联的介电层包括：
5.如权利要求1所述的方法，其中，针对每个层堆叠，形成与所述层堆叠相关联的介电层包括：
6.如权利要求1所述的方法，其中所述牺牲结构包括非晶硅或多晶硅。
7.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
8.如权利要求1所述的方法，
9.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾文德，S·M·萨拉赫丁，
申请(专利权)人：IMEC非营利协会，
类型：发明
国别省市：
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