【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种三维存储器元件及其制作方法。
技术介绍
1、为了满足高储存密度(high storage density)的需求，存储器元件中的存储单元的尺寸变得更小而且更密集。因此，存储器元件的形态已从平面型栅极(planar gate)结构的二维存储器元件(2d memory device)发展到具有通道结构的三维存储器元件(3dmemory device)。然而，具有通道结构的三维存储元件仍需面临许多挑战。
2、举例而言，在三维存储器元件中，具有高深宽比的通道结构在其顶部与底部之间具有相对大的尺寸差距。因此，三维存储器元件中的多个存储单元的操作速度会基于其位于通道结构的位置而变化。总的来说，上述的三维存储器元件具有相对差的可靠度。
技术实现思路
1、本公开提供一种三维存储器元件，其具有相对高的可靠度。
2、本公开的一实施例的三维存储器元件包括堆叠结构以及至少一个通道结构。堆叠结构包括交替堆叠的多层导电层以及多层绝缘层。至少一个通道结构从所述堆叠结构的顶表...
【技术保护点】
1.一种三维存储器元件，包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器元件，其中所述第一宽度为被所述多层导电层中的最底层环绕的所述底部部分的宽度。
3.根据权利要求1所述的三维存储器元件，其中所述第二宽度为被所述多层导电层中的最顶层环绕的所述顶部部分的宽度。
4.根据权利要求1所述的三维存储器元件，其中所述多层绝缘层中的一层包括第一绝缘层以及第二绝缘层，且所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层与所述至少一个通道结构之间。
5.根据权利要求4所述的三维存储器元件，其中所述第一绝缘层与所述第二绝缘层包括相同的材料。
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器元件，包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器元件，其中所述第一宽度为被所述多层导电层中的最底层环绕的所述底部部分的宽度。
3.根据权利要求1所述的三维存储器元件，其中所述第二宽度为被所述多层导电层中的最顶层环绕的所述顶部部分的宽度。
4.根据权利要求1所述的三维存储器元件，其中所述多层绝缘层中的一层包括第一绝缘层以及第二绝缘层，且所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层与所述至少一个通道结构之间。
5.根据权利要求4所述的三维存储器元件，其中所述第一绝缘层与所述第二绝缘层包括相同的材料。
6.根据权利要求4所述的三维存储器元件，其中所述第二绝缘层沿着远离所述至少一个通道结构水平地延伸，且覆盖所述多层导电层中的下层导电层的一部分。
7.根据权利要求4所述的三维存储器元件，其中与所述至少一个通道结构的所述顶部部分相邻的所述第二绝缘层的宽度大于与所述至少一个通道结构的所述底部部分相邻的所述第二绝缘层的宽度。
8.根据权利要求1所述的三维存储器元件，其还包括基底，所述基底位于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李智雄，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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