本公开提供了一种存储器装置，例如为三维与式或或非式闪存，该存储器装置包括第一芯片以及第二芯片。第一芯片具有多个源极线开关、多个位线开关、多个页缓冲器以及多个感测放大器。第一芯片并具有多个第一焊垫。第二芯片具有多个存储单元以形成多个存储单...

本公开提供了一种存储器装置，该装置包含存储器阵列。存储器阵列包含多个串行，串行中的每一者包含多个存储器单元和至少一个补偿单元，存储器单元及至少一个补偿单元串行联耦接到多个位线中的对应位线。在读取操作中，串行中的每一者中的至少一个补偿单元...

本公开提供了一种运算系统及方法，所述运算系统采用三维搜索引擎接收针对非易失性存储器阵列的字线的应用的搜索。所述引擎对搜索的每位信息使用二字线，且使用二存储器装置搜索每位储存特征，选择性地使能随意项及/或通配符编码。所述引擎使用非易失性存...

本公开提供一种存储器装置及其读取方法。存储器装置至少包括一第一字线、一第二字线及一第三字线。读取方法包括以下步骤。执行一读取程序，以读取第一字线的数个存储单元。响应于至少一存储单元发生读取错误，执行一识别程序。对存储单元执行一重读程序。...

本公开提供了一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括阶梯结构与外延部。所述阶梯结构位于介电基底上。所述阶梯结构包括彼此交替堆叠的多个导电层与多个绝缘层。所述外延部在所述阶梯结构的低阶部的末端。所述外延部与所述多个导电层具有不同的电阻值。

本公开提供了一种存储器装置及其读取方法。存储器装置至少包括一第一字线、一第二字线及一第三字线。第二字线及第三字线相邻于第一字线。读取方法包括以下步骤。执行一读取程序，以读取第一字线的多个存储单元。当发生读取错误，则对位于一状态边缘群的部...

本公开提供了一种集成电路结构及其制造方法，该集成电路结构包括衬底、第一存储器字串、源线以及第二存储器字串。第一存储器字串位于衬底上方，且包含在垂直方向上堆叠的多个第一存储单元。源线横向地延伸于第一存储器字串上方。第二存储器字串位于源线上...

本公开提供了一种存储器装置及其操作方法，用于执行存储器内运算。存储器装置包括多个存储单元，各存储单元储存权重值，各存储单元包括晶体管与电阻。晶体管具有栅极、漏极与源极，栅极接收输入电压，输入电压表示输入值。当晶体管操作于第一操作点时，输...

本公开提供了一种人工智能推理平台和推理方法。该人工智能推理平台包括一逻辑芯片、一存储器芯片以及多个垂直连接点。逻辑芯片包含多个人工智能处理元件的一阵列，各人工智能处理元件包含一启动存储器，用于储存启动数据以用于神经网络运算。存储器芯片包...

本公开提供了一种存储器系统及其操作方法。所述存储器系统及其操作方法作为执行于运算用固态硬盘(SSD)的技术，如本文所描述减少处理器的使用及/或总线带宽的使用。所述存储器系统能实现运算方法(如搜索、计算以及/或存取)使用运算用固态硬盘(S...

本公开提出一种全景感知系统、方法及其非暂时性计算机可读介质。该全景感知方法包括：使用该源数据库对一训练模型的多个权重进行一第一预训练；使用该源数据库对该训练模型的这些权重进行具有数据增强的一第二预训练；使用该源数据库与该目标数据库对该训...

本公开提供了一种三维半导体装置，该三维半导体装置包括阵列侧结构以及装置侧结构。阵列侧结构包括存储器单元的存储器阵列以及导电耦接至存储器阵列的阵列侧集成电路。装置侧结构包括装置侧集成电路。阵列侧结构与装置侧结构整合在一起，一或多个连接接垫...

本公开提供了一种电子装置。该电子装置包括一运算型存储器。该运算型存储器包括一第一存储器阵列和一第二存储器阵列。第一存储器阵列和第二存储器阵列包含相同的多个数据。第一存储器阵列和第二存储器阵列配置成以异相方式执行多个操作。

本公开提供了一种存储器装置及其制造方法。存储器装置包含多个漏极柱状结构、多个源极柱状结构、多个存储结构、通道结构与栅极结构。多个存储结构分别围绕多个漏极柱状结构。通道结构被多个漏极柱状结构和多个源极柱状结构分开为多个弧形通道部件。栅极结...

本公开是一种存储器元件及其制造方法，该存储器元件包括：在基底上的第一互连结构、第二互连结构、堆叠结构、停止层以及多个通道柱结构。所述堆叠结构位于所述第一互连结构与所述第二互连结构之间。所述停止层位于所述堆叠结构与所述第二互连结构之间。每...

本公开提供一种存储器内计算存储器装置与方法。存储器装置包括：多个运算存储单元，这些运算存储单元储存多个权重值；负载电容，耦接至这些运算存储单元；以及测量电路，耦接至负载电容。在进行运算时，多个输入电压分别输入至这些运算存储单元，这些输入...

本公开提供了一种可执行数据处理的储存系统。该可执行数据处理的储存系统包括以下元件：储存装置和处理装置。储存装置的第一控制单元协同于一测序测序仪对于多个原始序列执行一聚类处理以得到多个读取序列，其中这些读取序列形成一聚类读取集合。并且，第...

本公开提供了一种存储器元件，可以应用于三维AND闪存元件。存储器元件包括基底、第一堆叠结构、第二堆叠结构、通道结构、绝缘柱、通孔以及导电层。基底具有存储器阵列区与阶梯区。第一堆叠结构配置在存储器阵列区的基底上，其中第一堆叠结构包括交替堆...

本公开提供了一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括基板、多个导电层、多个介电层；存储器结构、选择栅极结构以及位线接触。导电层及介电层交错堆叠于基板上方。存储器结构穿过导电层及介电层，其中存储器结构包括通道结构以及设置于通道结构上的...

本公开提供一种用于操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：存储器，包含集成电路上的多个存储器区块；刷新映射表，位于所述集成电路上的非易失性存储器中，具有一个或多个条目，所述刷新映射表中的条目将刷新区块地址映射至备份区块地址；以及控制器...