本公开提供了一种存储器装置的操作方法。存储器装置的操作方法包括：选择多条字线之一为一受选字线；对该受选字线施加一编程电压；以及对该受选字线的多个相邻字线施加一通过电压。该通过电压包括一第一部分与一第二部分，该通过电压的该第一部分的一时序...

本公开提供了一种用于执行存储器内运算的集成电路装置及其操作方法，该装置包括一存储单元阵列、多个字线驱动器以及多个感应电路。存储单元阵列包括多个位线和多个字线。字线驱动器配置以驱动这些字线上的多个电压。感应电路配置以感应多个第一电流和多个...

本公开提供一种存储装置及其存储方法，该存储装置用于执行存储器内搜索。该存储装置的多条第一信号线施加搜索电压，搜索电压对应于搜索数据。存储装置的多条第二信号线产生输出电流。存储装置的各个存储单元的阈值电压对应于存储数据，存储数据与搜索数据...

本公开提供了一种易失存储器内搜索装置及其操作方法，该易失存储器内搜索装置包括至少一个字线、至少两个位线、至少一个匹配线、至少一个单位存储装置、至少两个搜索线、至少一个预充电单元及至少一个感测单元。单位存储装置包括两个存储元件及两个搜索晶...

本公开提供了一种用于三维存储器的半导体结构及其制造方法，该半导体结构应用于三维AND闪存，该半导体结构包括基底、绝缘层、堆叠结构以及垂直通道结构。所述基底具有存储器阵列区与阶梯区。所述绝缘层设置于所述基底上。所述堆叠结构配置于所述绝缘层...

本公开提供一种混合式存储器内搜索IMS内容可寻址存储器CAM单元、存储器装置及数据搜索方法。该混合式存储器内搜索IMS内容可寻址存储器CAM单元包括：一第一IMS CAM单元；以及一第二IMS CAM单元，耦接至该第一IMS CAM单元...

本公开提供一种用于三维存储器的半导体结构及其制造方法。所述半导体结构可用于应用于三维AND快闪存储器。所述半导体结构包括介电层、接地层、接地导孔、介电堆叠结构以及贯穿导孔。所述介电层设置于基底上，所述接地层设置于所述介电层上，所述接地导...

本公开提供一种三维存储器元件及其制备方法，该三维存储器元件包括：基底、堆叠结构以及垂直通道柱。堆叠结构配置在基底上。堆叠结构包括交替堆叠的多个介电层与多个栅极层。垂直通道柱贯穿堆叠结构。垂直通道柱包括：第一源极/漏极柱以及横向环绕第一源...

本公开提供了一种存储器装置及其存储器内搜索方法。该存储器内搜索方法包括：根据所要搜索数据的逻辑状态，在第一阶段，提供第一电压或第二电压至至少一个目标存储单元的字线，并读取第一电流；根据所要搜索数据的逻辑状态，在第二阶段，提供第三电压或第...

本公开提供了一种超高维度计算装置。超高维度计算装置包括非易失存储单元阵列以及第一运算电路。非易失存储单元阵列耦接多条第一字线。非易失存储单元阵列具有多个存储单元群组，各存储单元群组中的多个第一存储单元耦接至相同的第一字线，存储单元群组分...

本公开提供了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一基板、一第一电路层、一存储器阵列结构、一接合层、一第二电路层和一第二基板。第一电路层设置在第一基板上，存储器阵列结构设置在第一电路层上，接合层设置在存储器阵列结构上，第二电路...

本公开提供了一种存储器结构及其操作方法。存储器结构包含沿着第一方向设置且彼此分开的第一、第二和第三栅极结构、具有第一端与第二端的多个通道本体、彼此分开且具有第一导电类型且连接第一端的多个源极区、彼此分开且具有第二导电类型且连接第二端的的...

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构具有一装置定义区，装置定义区包含一第一部分和一第二部分彼此分离。该半导体结构包括一叠层，叠层包括多个第一导电层和多个第一介电层交替设置，叠层具有一开口在装置定义区穿过该叠层，该半导体结...

本公开提供了一种用于存储器内运算的通用存储器及其操作方法。通用存储器包括至少一写入字线、至少一单位存储单元及至少一读取字线。单位存储单元包括一写入晶体管及一读取晶体管，写入晶体管的栅极连接于写入字线，写入晶体管为一阈值电压可调晶体管，读...

本公开提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括一电阻器。电阻器包括相邻的2个底电极、电阻层、顶电极以及导电侧壁。电阻层设置于2个底电极上，顶电极设置于电阻层上，导电侧壁环绕顶电极，且电性连接于顶电极与该2个底电极中的一底电极。顶...

本公开提供一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括基底、栅极结构、第一掺杂区与第二掺杂区。基底中具有多个凹槽。栅极结构覆盖多个凹槽及其彼此之间的基底表面。栅极结构包括栅介电层以与栅极导电层。栅介电层覆盖多个凹槽的底面与侧壁及多个凹槽...

本公开提供了一种存储器装置及其测试方法，该存储器装置例如为三维叠层式与式闪存，包括存储单元阵列、第一共用位线、第二共用位线以及开关元件。存储单元阵列区分为第一存储单元群组以及第二存储单元群组，第一存储单元群组具有多条第一区域位线以及多条...

本公开提供一种半导体结构和制造方法。该半导体结构具有一装置区和一周边区，周边区相邻于装置区。周边区包括一阵列接触件定义区和一周边接触件定义区。该半导体结构包括一基板、一阶梯结构、一刻蚀停止层、多个阵列接触件和多个周边接触件。阶梯结构在周...

本公开提供了一种存储器装置及其页面缓冲电路，该存储器装置包括：一存储单元阵列，存储单元阵列包括多个存储单元；一页面缓冲电路，包括耦接至此存储单元阵列的多个页面缓冲器，每个页面缓冲器包括多个锁存器及被配置以耦接所述多个锁存器的一内部数据线...

本公开提供了一种存储器装置、页缓冲器电路及集成电路。在一方面，存储器装置包括一存储单元阵列、一页缓冲器电路及一高速缓存数据锁存器电路。页缓冲器电路包括多个页缓冲器。高速缓存数据锁存器电路包括多个高速缓存。这些高速缓存通过多个数据总线分段...