存储器装置的操作方法制造方法及图纸

本公开提供了一种存储器装置的操作方法。存储器装置的操作方法包括：选择多条字线之一为一受选字线；对该受选字线施加一编程电压；以及对该受选字线的多个相邻字线施加一通过电压。该通过电压包括一第一部分与一第二部分，该通过电压的该第一部分的一时序早于该通过电压的该第二部分的一时序，该通过电压的该第一部分的一电压值高于该通过电压的该第二部分的一电压值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种存储器装置的操作方法。

技术介绍

1、在存储器装置的操作过程中，如编程操作，如何提高编程效率(programefficiency)是重要议题之一。在编程操作时，对于受选字线会施加编程电压(vpgm)，而对于受选字线的相邻字线则施加通过电压(vpassp)。

2、在编程时，如果可以逐渐提高施加至相邻字线的通过电压的话，可以达到较好的编程效率。

3、然而，随着提高通过电压，将使得编程干扰(program disturbance)变得更严重，故而，目前技术上，对于通过电压会设定通过电压上限。

4、在达到通过电压上限后，通过电压将不能再被提高，因为出现编程干扰的概率会提高。但是，这样的话，将导致编程效率降低。

5、故而，需要有一种存储器装置的操作方法，在能尽量提高编程效率的情况下，降低编程干扰的概率。

技术实现思路

1、根据本公开一实施例，提出一种存储器装置的操作方法，包括：选择多条字线之一为一受选字线；对该受选字线施加一编程电压；以及对该受选字线本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器装置的操作方法，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中，

3.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中，该通过电压的该第一部分的一时序长度随着一脉冲数而变化。

4.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中，该通过电压的该第二部分的一时序长度随着该脉冲数而变化。

5.根据权利要求3或4所述的存储器装置的操作方法，其中，

6.根据权利要求3或4所述的存储器装置的操作方法，其中，

7.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中，该通过电压的一电压下降量随着该脉冲数而变化，该...

【技术特征摘要】

1.一种存储器装置的操作方法，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中，

3.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中，该通过电压的该第一部分的一时序长度随着一脉冲数而变化。

4.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中，该通过电压的该第二部分的一时序长度随着该脉冲数而变化。

5.根据权利要求3或4所述的存储器装置的操作方法，其中，

6.根据权利要求3或4所述的存储器装...

【专利技术属性】
技术研发人员：李世俊，秦启元，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：