【技术实现步骤摘要】
本公开是关于半导体结构及其制造方法。本公开特别是关于包括存储器阵列结构和电路层的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、在传统具有存储器阵列的半导体装置中，用于控制存储器阵列的电路装置设置在阵列区附近的电路区中。随着半导体装置中存储单元数量的增加，需要更多的电路装置来控制存储器阵列。一种解决方案是在整个基板上形成电路层，然后在其上形成存储器阵列结构。另一种可以提供更多电路装置的解决方案则是提供用于形成额外的电路装置的另一个基板，并通过硅通孔将其连接至原本的半导体结构。然而，在这两种解决方案中，位于存储器阵列结构下的电路装置都可能因为制造存储器阵列的工艺而恶化，并因此导致电路装置的性能低下。在某些情况下，甚至连存储器阵列也可能恶化。
技术实现思路
1、在本公开中，提供了具有更多用于控制存储器阵列的高性能装置的半导体结构及其制造方法。
2、根据实施例的一种半导体结构包括一第一基板、一第一电路层、一存储器阵列结构、一接合层、一第二电路层和一第二基板。第一电路层设置在第一基板上，存储器...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一电路层包括可施加等于或大于20V的电压的装置和具有等于或大于100nm的栅极长度的装置中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第二电路层包括输入/输出装置、具有小于或等于100nm的栅极长度的装置、FinFET、包括SiGe层的装置和包括金属栅极的装置中的至少一个。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该接合层包括金属。
6.一种半导体结构的制造方法，包括：
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