本发明提供了一种存储器装置。该存储器装置包括周边基板及阵列基板。周边基板包括页缓冲及高电压处理电路且具有一周边基板面积。阵列基板包括阵列。阵列基板与周边基板彼此堆叠，且高电压处理电路的电路分布面积占周边基板面积的10％以下。

本公开提供了一种存储器装置，该存储器装置包括多个第一周边电路、叠层式存储单元阵列以及第一寻址电路。第一周边电路设置在一第一芯片上，其中第一芯片上具有多个第一焊垫。叠层式存储单元阵列设置在第二芯片上，其中第二芯片上具有多个第二焊垫。第二焊...

本公开提供了一种半导体装置，包括第一基板、第一芯片、第二芯片及第一基板导电柱。第一芯片配置在第一基板上且具有一第一侧面。第二芯片配置在第一芯片上且包括相对第一侧面突出的第一突出部。第一基板导电柱连接第一突出部与第一基板。

本公开提供了一种静电放电电路，包含放电开关、第一触发电路及第二触发电路。放电开关包含第一端、第二端及控制端。第一端耦接于集成电路的第一电源域，第二端耦接于集成电路的第二电源域，以使第一端相对于第二端为高电平。第一触发电路耦接于第一端及控...

本发明提供了一种存储器装置及其预充电方法。存储器装置的预充电方法包括：施加独立控制的多个预充电电压至多个导通字线，这些预充电电压从多个参考预充电电压中选择；以及施加多个关闭电压至多个关闭字线，其中，在一既定方向上，这些导通字线的一目标导...

本公开提供了一种存储器系统及其操作方法。存储器系统包括存储器和耦接到存储器的存储器控制器。存储器控制器被配置为：从存储器的数据页读取数据，根据与关联于数据的第一纠错码数据对于已读取数据执行第一阶段纠错码测试，以及，响应于确定已读取数据未...

本公开提供了一种存储器内搜索装置，该装置包括多个第一存储单元串、控制器以及感测电路。第一存储单元串共同耦接至第一共同位线。各第一存储单元串包括多个第一数据储存层。第一数据储存层分别包括多个第一存储单元对，第一存储单元对分别耦接至多个第一...

本发明是一种存储器装置及用于其的读取方法。存储器装置可为具备高容量及高性能的立体与或门NAND闪存。存储器装置包括第一至第三存储单元串。每个存储单元串包括第一至第三存储单元。读取方法包括：向所述第二存储单元串中的所述第二存储单元实施所述...

本公开提供了一种存储器装置的存储器擦除方法及其存储器装置。存储器装置为具备高容量及高性能的立体与非门快闪存储器。存储器擦除方法包括下列步骤：提供存储器区块，其中存储器区块包括多个存储单元串，所述存储单元串包括多个存储单元串、多个串选择晶...

一种电子电路、存储器及补偿通道损失造成数据失真的方法。在一实施例中，电子电路包含用以将输入信号转换为数字信号的转换电路，以及耦接于转换电路的补偿电路。转换电路包含采样电路，用以接收数字信号及产生输出信号。输出信号包含位元流，位元流用以在...

本公开提供了一种存储装置及形成其的方法。所述存储装置为三维位成本可扩展存储装置(BiCS)，包含层堆叠与垂直地延伸通过层堆叠的通孔电极。层堆叠包含导电度可控层与电极层。电极层具有导体部分与分隔部分，分隔部分使通孔电极和电极层的导体部分分...

本公开提供了一种数据处理系统和集成电路装置，所述数据处理系统具有数据总线、位于数据总线上的源节点装置及位于数据总线上的总线节点装置的群组。源节点装置被配置成在数据总线上传送群组读取状态命令。所述群组中的总线节点装置被配置成通过在各自的非...

本公开提供了一种存储器元件，包括：基底、复合堆叠结构、多个第一绝缘结构以及多个穿孔。所述基底包括存储面区与周边区。所述复合堆叠结构位于所述存储面区与所述周边区的所述基底上。所述复合堆叠结构包括第一堆叠结构。所述第一堆叠结构，包括彼此交替...

本公开提供了一种存储器内运算器，包括多个运算区块、第一参考权重区块以及输出结果产生器。运算区块具有多个权重值，分别接收多个输入信号并产生多个运算结果。各运算区块根据对应的各输入信号与对应的权重值以产生各运算结果。第一参考权重区块根据多个...

本公开提供了一种非易失性存储器以及编程方法。编程方法包括：针对第N条字线的多个第一存储单元进行读取动作，并判断第一存储单元的等效阈值电压是否大于预设阈值来产生判断结果，其中N为大于1的正整数；以及，当针对第N+1条字线的多个第二存储单元...

本发明提供一种存储单元电路、存储单元阵列结构及其制造方法。存储单元电路包括第一晶体管、第二晶体管以及电容器。第一晶体管具有第一端以电性耦接至位线，第一晶体管的栅极端电性耦接至主要字线。第二晶体管具有第一端电性耦接至第一晶体管的第二端，第...

本公开提供了一种基于闸流晶体管(thyristor)的存储装置。该存储装置包括以下元件：多个栅极结构，延伸于第一方向，且在第一方向是连续的结构体。多条位线，延伸于第二方向，第二方向实质上正交于第一方向。多条源极线，延伸于第一方向。多个通...

本公开提供了一种存储器元件。该存储器元件包括基底与第一阶层至第四阶层。第一阶层位于在基底上，包括多个第一晶体管与多个第二晶体管。多个第一晶体管包括多个群组。第二阶层包括复合堆叠结构。第三阶层包括多个局部位线与多个局部源极线。每一个局部位...

本公开提供了一种包括热退火电路的存储器及其操作方法。其中，存储单元阵列包括电阻式元件，电阻式元件被设置成与存储单元阵列中的一群组的存储单元进行热连通。电容器及经由电阻式元件使电容器进行放电的电路引发所述一群组的存储单元进行热退火。可使用...

本公开提供了一种半导体装置及其制作方法。半导体装置包含基板、设置在基板上的叠层、设置在叠层中且连接至基板的第一共享源极线与第二共享源极线。叠层包含交替配置的绝缘层与导电层。第一共享源极线与第二共享源极线沿着第一方向延伸且沿着第二方向排列...