存储装置及形成其的方法制造方法及图纸

本公开提供了一种存储装置及形成其的方法。所述存储装置为三维位成本可扩展存储装置(BiCS)，包含层堆叠与垂直地延伸通过层堆叠的通孔电极。层堆叠包含导电度可控层与电极层。电极层具有导体部分与分隔部分，分隔部分使通孔电极和电极层的导体部分分开。导电度可控层的至少一储存部分电性串联于通孔电极与电极层的导体部分之间。通孔电极例如包含钨。导电度可控层例如包含双向阈值开关材料。电极层的导体部分例如包含碳。

【技术实现步骤摘要】

本公开有关于存储单元，包含用于集成电路的存储单元。

技术介绍

1、存储单元(例如用于集成电路的存储单元)受益于优化的性能，例如延迟(latency)降低、带宽(bandwidth)增加及/或能量消耗降低。存储单元更受益于优化的成本，例如密度提升。例如，动态随机存取存储器(dram)的扩展持续放缓，导致性能及/或成本的优化迟滞。

技术实现思路

1、一或更多的计算机的系统由于在系统上安装了软件、固件、硬件或其组合而可装配以进行特定操作或动作，运行中的软件、固件、硬件或其组合使系统进行及/或控制动作。一或更多的计算机程序由于包含指令而可装配以进行特定操作或动作，当数据处理设备执行指令时会使设备进行动作。

2、第一方面包含存储装置。存储装置包含层堆叠与垂直地延伸通过层堆叠的通孔电极(via electrode)，其中层堆叠可选地包含导电度可控层(controllable conductivitylayer)与相邻于导电度可控层的电极层(electrode layer)，其中电极层可选地包含导体部分(con本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储装置，包含：

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中该层堆叠具有一内侧壁，该内侧壁定义出容纳该通孔电极的一孔洞。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中该导体部分包含碳(C)和金属材料。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中该导体部分包含选自由钨(W)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、钴(Co)与钌(Ru)所组成的群组中的多个材料。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其中该通孔电极包含钨(W)。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其中该通孔电极包含氮化钛(TiN)。

7.根据权利要求1所述的存...

【技术特征摘要】

1.一种存储装置，包含：

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中该层堆叠具有一内侧壁，该内侧壁定义出容纳该通孔电极的一孔洞。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中该导体部分包含碳(c)和金属材料。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中该导体部分包含选自由钨(w)、钛(ti)、氮化钛(tin)、钽(ta)、钴(co)与钌(ru)所组成的群组中的多个材料。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其中该通孔电极包含钨(w)。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其中该通孔电极包含氮化钛(tin)。

7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙翔澜，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：