【技术实现步骤摘要】
本公开关于一种集成电路及其制造方法，尤其涉及一种半导体元件及其制造方法。
技术介绍
1、近年来，随着半导体技术的发展，电子元件的尺寸越来越小，栅极结构的尺寸越来越小。然而，栅极结构的尺寸越小，可通过栅极结构下方的通道的电流越小，元件的效能也将因此而下降。若为了维持或提升元件的效能，元件的尺寸将无法有效缩小，因此而必须占据较大的芯片的面积。
技术实现思路
1、本公开提供一种半导体元件及其制造方法，可以在不增加栅极有源区的宽度下，增加源极与漏极之间的通道的有效宽度。
2、本公开的的实施例的一种半导体元件包括基底、栅极结构、第一掺杂区与第二掺杂区。所述基底中具有多个凹槽。所述栅极结构，覆盖所述多个凹槽及其彼此之间的所述基底表面，其中所述栅极结构包括：栅介电层以与栅极导电层。所述栅介电层，覆盖所述多个凹槽的底面与侧壁及所述多个凹槽彼此之间的所述基底的表面。所述栅极导电层，配置在所述栅介电层上、填入所述多个凹槽且覆盖所述多个凹槽之间的所述基底的表面。所述第一掺杂区与所述第二掺杂区，位于所
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括隔离结构，在所述基底中，界定出有源区，其中所述多个凹槽在所述有源区中。
3.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括隔离结构，在所述基底中，界定出有源区，其中所述多个凹槽在所述有源区以及所述隔离结构中。
4.根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述多个凹槽在第一方向延伸，所述第一方向平行于通道的方向，所述多个凹槽在第二方向排列，所述第二方向与所述栅极结构延伸的方向平行。
5.根据权利要求4所述的半导体元件，其中所述多个凹槽在所述第一方向的多个长度大于所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括隔离结构，在所述基底中，界定出有源区，其中所述多个凹槽在所述有源区中。
3.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括隔离结构，在所述基底中，界定出有源区，其中所述多个凹槽在所述有源区以及所述隔离结构中。
4.根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述多个凹槽在第一方向延伸，所述第一方向平行于通道的方向，所述多个凹槽在第二方向排列，所述第二方向与所述栅极结构延伸的方向平行。
5.根据权利要求4所述的半导体元件，其中所述多个凹槽在所述第一方向的多个长度大于所述栅极结构在所述第一方向的长度。
6.一种半导体元件的制造方法，包括：
7.根据权利要求6所述的半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨怡箴，卢俊良，陈永翔，张耀文，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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