【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种三维半导体装置。
技术介绍
1、例如高密度与非(nand)闪存装置等半导体装置可具有各种结构以增加芯片上的存储器单元及线的密度。举例而言，三维(three-dimensional，3d)nand结构由于能够通过在相似的占用面积内堆叠更多的层来增加阵列密度而具有吸引力。然而，由于在同一区域中堆叠有更多的层，因此为所述层提供对应的电路可能具有挑战性。
技术实现思路
1、本公开阐述一种用于开发三维(3d)半导体装置(例如3d存储器装置)的方法、系统及技术。
2、本公开的一个方面以一种包括阵列侧结构以及装置侧结构的半导体装置为特征。阵列侧结构包括：存储器单元的存储器阵列以及导电耦接至存储器阵列的阵列侧集成电路。装置侧结构包括装置侧集成电路。阵列侧结构与装置侧结构整合在一起，一或多个连接接垫位于阵列侧结构与装置侧结构之间。阵列侧集成电路与装置侧集成电路经由所述一或多个连接接垫中的至少一者而彼此导电耦接且被配置成对存储器阵列实行一或多个操作。
3、在一些实...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述一或多个操作包括以下中的一或多者：写入操作、读取操作、编程操作、擦除操作及搜索操作。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述阵列侧集成电路包括一或多个第一逻辑或电路，且所述装置侧集成电路包括一或多个第二逻辑或电路，所述一或多个第二逻辑或电路具有以下中的至少一者：较所述一或多个第一逻辑或电路高的操作速度或者较所述一或多个第一逻辑或电路高的热灵敏度。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述阵列侧集成电路包括一或多个第一逻辑或电路，所述一或多个第一逻辑或电...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述一或多个操作包括以下中的一或多者：写入操作、读取操作、编程操作、擦除操作及搜索操作。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述阵列侧集成电路包括一或多个第一逻辑或电路，且所述装置侧集成电路包括一或多个第二逻辑或电路，所述一或多个第二逻辑或电路具有以下中的至少一者：较所述一或多个第一逻辑或电路高的操作速度或者较所述一或多个第一逻辑或电路高的热灵敏度。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述阵列侧集成电路包括一或多个第一逻辑或电路，所述一或多个第一逻辑或电路被配置用于对所述存储器阵列进行一或多个局域操作，且
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述阵列侧集成电路包括以下中的至少一者：核心控制逻辑、感测放大器或页面缓冲器电路、字线译码器或者高电压电荷泵，且
6.根据权利要求1所述的半导体装置，包括第一半导体芯片及第二半导体芯片，所述第一半导体芯片包括所述阵列侧结构，所述第二半导体芯片包括所述装置侧结构，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第一半导体芯片及所述第二半导体芯片中的每一者为互补金属氧化物半导体芯片，且
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述存储器阵列包括：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述阵列侧集成电路包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述存储器阵列还包括：
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述三维阵列结构包括第一子阵列结构及第二子阵列结构，所述台阶式结构位于所述第一子阵列结构与所述第二子阵列结构之间，且
12.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述阵列侧集成电路还包括：
13.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述三维阵列结构还包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑宸语，韩宗廷，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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