本公开提供一种浮点数的处理方法与装置、神经网络训练方法与浮点数数据库转换方法。获取一自定义浮点数，该自定义浮点数包括一符号域与一指数域，其中，该自定义浮点数的一数值决定于该符号域、该指数域、一基底值与一偏差值，该基底值不为整数，且该基底...

本公开提供了一种存储器装置及其制造方法。存储器装置包括阵列区域、阶梯区域、在阵列区域与阶梯区域中的参考结构、在阵列区域与阶梯区域中的堆叠结构以及从阵列区域沿着一方向延伸到阶梯区域的壁结构。参考结构包括导电结构与在阶梯区域中嵌设于导电结构...

本公开提供一种半导体结构，可应用于三维AND闪存元件。半导体结构包括基底、介电结构、第一密封环结构与第一密封通孔。基底包括元件区。介电结构位于基底上。第一密封环结构位于介电结构中。第一密封环结构围绕元件区。第一密封通孔位于介电结构中。第...

本公开提供了一种神经网络系统、浮点数的处理方法与装置。该神经网络系统，包括一或多个存储器装置，该一或多个存储器装置储存有一或多个神经网络模型，当对该一或多个神经网络模型进行训练时，该一或多个存储器装置执行：开始权重的训练迭代；判断是否发...

本发明公开了多芯片封装结构、降低峰值电流方法与半导体装置。一种多芯片封装结构包括：多个芯片封装于一基板上。多个封装球，镶嵌于该基板，这些封装球连接至多个电源。多个连接节点封装于该基板上，用以连接这些封装球至这些芯片。这些电源包括多个第一...

本公开提供了一种存储器搜索引擎、参考阵列及参考校正方法。该存储器搜索引擎储存有对应于多个汉明距离的至少一个参考时间及至少一个参考电压。存储器搜索引擎包含数据阵列及参考阵列。数据阵列储存有至少一个第一类型数据，用以依据至少一个输入数据与至...

本公开提供运算系统、执行运算任务的方法及内储其程序指令的非暂态计算机可读取记录介质。用于执行运算任务的方法包括：从用户内容提取对应于用户内容中指示的搜索请求的一或多个特征；转换一或多个特征为浮点查询向量；量化浮点查询向量；得到包括一或多...

本发明提供一种存储器元件，包括内连线、第一停止垫、第二停止垫、堆叠结构、通道柱、电荷储存结构、第一导体柱、第二导体柱以及第一导体插头。第一停止垫与第二停止垫位于内连线上方。堆叠结构位于第一停止垫与第二停止垫上方。通道柱延伸穿过堆叠结构。...

本公开提供了一种三维存储器装置。该三维存储器装置包含多个字线、位线、编码电路、感测电路及一三维存储器阵列。三维存储器阵列包含多个二维存储器阵列，用以储存与至少一神经网络模型相关的第一神经网络数据至第四神经网络数据。每个二维存储器阵列耦接...

本发明提供一种存储器元件及其制造方法。一种存储器元件，包括：堆叠结构、第二导体层、多个通道柱以及串选择线切割墙。堆叠结构包括交替堆叠的多个第一绝缘层和多个第一导体层。第二导体层在所述堆叠结构上方。多个通道柱延伸穿过所述第二导体层和所述堆...

本公开提供一种三维存储器阵列、存储器搜寻引擎电路及其编码方法。一种三维存储器阵列，包含多个与非串。与非串各自用以储存包含多个位元的储存数据并接收包含多个位元的搜寻输入。储存数据及搜寻输入的多个位元各自属于位元0、位元1、通用位元或无效位...

本公开提供三维存储器装置、运算电路及运算方法。三维存储器装置包含三维存储器阵列、编码电路、感测电路及处理电路。三维存储器阵列包含多个二维存储器阵列，用以接收多个输入电压并输出多个输出电流。每个二维存储器阵列包含多个存储器单元及多个阵列边...

本发明提供一种半导体装置、存储器系统及其操作方法。于一方面中，半导体装置包括关联于识别符的逻辑单元。逻辑单元包括控制逻辑及耦接至控制逻辑的反馈单元。半导体装置同样包括耦接至反馈单元的控制接口。控制逻辑被配置以：从控制接口接收于迭代中的列...

本公开提供一种具有对准键的芯片以及使用该芯片的封装结构。该芯片包含设置在基板的装置区域、设置在基板的一角的角落区域、围绕装置区域的密封环、围绕密封环以及角落区域的切割道区域，以及对准键。密封环包含邻接于角落区域的角落段。对准键设置于邻近...

本发明提供一种存储器装置，包括一第一电极、一第二电极以及一存储层。存储层位于第一电极以及第二电极之间，存储层包括一组分，此组分包括X重量百分比的铜、Y重量百分比的锗以及Z重量百分比的硒，其中X的范围介于3.33与26.66之间，Y的范围...

本发明提供一种存储器装置的操作方法，包括下列步骤。提供存储器装置，存储器装置包括：多个第一电极，多个第二电极以及多个存储层，其中第一电极、第二电极与存储层的交叉位置形成多个存储单元。在存储单元中选择一选定存储单元。施加‑2/3V于第二电...

本公开提供了一种存储器装置及其操作方法。包含用以储存第一数据位的第一存储器单元。第一存储器单元包含通道结构、源极结构、漏极结构及电荷阱层。当第一数据位具有第一逻辑值且施加于电荷阱层的电压信号具有第一电压电平时，流经通道结构的电流信号具有...

本发明提供一种存储器装置及其制造方法。存储器装置的制造方法包含：沿着第一方向，交错放置多个第一层及多个第二层；第一孔洞；在第一孔洞的一边缘形成第一通道结构；在第一孔洞之中形成第一源极结构及第一漏极结构；围绕第一通道结构形成第一电荷阱结构...

本公开提供了一种存储装置及其操作方法。存储装置包含堆叠结构、绝缘膜、导电膜、柱元件以及多个存储单元。堆叠结构包含存储阵列堆叠与阶梯状堆叠；绝缘膜在存储阵列堆叠上；导电膜在阶梯状堆叠上且在绝缘膜的侧壁上；柱元件在阶梯状堆叠上且延伸通过导电...

本公开内容提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体基底、底层、铁电材料层及导电层。底层覆盖半导体基底。铁电材料层覆盖底层，其中底层具有朝向铁电材料层的表面，表面具有小于1 nm的均方根粗糙度。导电层覆盖铁电材料层。