【技术实现步骤摘要】
本公开内容是关于一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着时代演进，移动电子产品日趋重要，使得非易失性存储器的需求日益增加。常见的非易失性存储器包括掩膜式只读存储器(mask read-only memory, mask rom)、闪存(flash memory)等。然而，掩膜式只读存储器不能更改存储内容，因此应用性大受限制。而闪存虽然可以任意更改储存内容，然其写入次数有限且读写速度远低于动态随机存取存储器(dynamic random-access memory, dram)及静态随机存取存储(static random-accessmemory, sram)。因此，对于高读写次数、高读写速度、低耗能及低操作电压的新颖存储器的需求已逐渐出现，目前具有此优点的新颖存储器例如为铁电随机存取存储器(ferroelectric random access memory，feram))。目前亟需进一步提升feram的性能表现及拓展其应用性。
技术实现思路
1、本公开内容提供一种半导体结构，其...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括一绝缘层设置于该底层及该铁电材料层之间。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括一绝缘层设置于该铁电材料层及该导电层之间。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括一第一绝缘层以及一第二绝缘层，其中该第一绝缘层设置于该底层及该铁电材料层之间，该第二绝缘层设置于该铁电材料层及该导电层之间。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该半导体基底为柱状的，该底层环绕该半导体基底，该铁电材料层环绕该底层，该导电层环绕该铁电材料层。
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括一绝缘层设置于该底层及该铁电材料层之间。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括一绝缘层设置于该铁电材料层及该导电层之间。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括一第一绝缘层以及一第二绝缘层，其中该第一绝缘层设置于该底层及该铁电材料层之间，该第二绝缘层设置于该铁电材料层及该导电层之间。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该半导体基底为柱状的，该底层环绕该半导体基底，该铁电材料层环绕该底层，该导电层环绕该铁电材料层。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，还包括一绝缘层设置于该底层及该铁电材料层之间。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，还包括一绝缘层设置于该铁电材料层及该导电层之间。
8.根据权利要求5所述的半导体结构，还包括一第一绝缘层以及一第二绝缘层，其中该第一绝缘层设置于该底层及该铁电材料层之间，该第二绝缘层设置于该铁电材料层及该导电层之间。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该底层具有0.5 nm至50 nm的一厚度。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该底层包括钛、氮化钛、钛铝合金、氮化钛铝、钨、氮化钨、钽、氮化钽、钌、二氧化钌...
【专利技术属性】
技术研发人员：李岱萤，李明修，赵泽夫，徐葳腾，刘致为，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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