本公开提供了一种存储器装置及存储单元的失效状态的检测方法。存储器装置例如为三维与非门闪存电路，且提供高性能以及高容量的储存介质。检测方法包括：检索页缓冲器中储存的多个状态数据，查找出存储单元中的设定状态存储单元，获得设定状态数据；储存状...

本公开提供一种存储器装置以及用于存储器装置的操作方法。存储器装置是具备高性能、大容量的三维NAND快闪存储器区块。存储器装置包括共享源极线、至少一位线以及至少一存储串。在擦除操作的期间，擦除电压被施加到共享源极线以及所述至少一位线的至少...

本发明提供一种具有多阶温度计编码的运算系统及运算方法。运算系统包含存储器和搜索编码器。存储器包含：多个存储器串，每个存储器串耦接至匹配线及源极线，匹配线耦接至感测放大器，且每个存储器串包含多个串联装置，每个串联装置具有并响应于配置状态及...

本发明提供一种三维存储器元件，包括介电基底、堆叠结构以及保护层。堆叠结构设置在介电基底上。堆叠结构包括交替堆叠的多个介电层与多个导体层。保护层连续覆盖在多个导体层中的最上导体层的顶表面、第一侧壁及底表面上。保护层的材料包括氮化硅。

本发明提供一种加解密装置及处理数据的方法。此装置可由具备高容量及高性能的立体NAND闪存的存储器装置实施。此装置包括存储器阵列、数据感测电路、位线电压供应器及存储器控制器。存储器阵列中的存储器区块包括具有第一位线的第一存储单元串以及具有...

本公开提供了一种存储器内运算装置以及使用其执行操作的方法。该存储器内运算装置包括提供N个输入数据元素和M个冗余输入数据元素的控制电路，其中N和M为大于零的整数，乘法器电路，被配置为（i）将N个输入数据元素与N个储存数据元素相乘，以及（i...

本公开提供了一种存储器装置的软写入方法与擦除方法。存储器装置具有n个字线(n为正整数)。软写入方法包括：对n个字线中的第j个字线施加m个(m为正整数)写入脉冲，其中j为小于n的正整数；以及基于对第j个字线施加m个入脉冲的验证结果，来决定...

本公开提供一种物理不可复制功能（PUF）的撷取方法及存储器装置。存储器装置可为具备高容量及高性能的立体NAND闪存。撷取方法包括：提供存储器区块，存储器区块包括多个存储器子区块；从存储器子区块中选择多个待选存储器子区块；在待选存储器子区...

本发明提供一种输入缓冲器，包含第一至第二放大器。第一放大器包含第一前端电路、第一晶体管、以及第二晶体管。第一前端电路接收第一电压及第二电压。第一晶体管及第二节点的第一端分别在第一节点与第一前端电路耦接。第一晶体管及第二晶体管的第二端在参...

本公开提供了一种存储器装置以及其数据存取方法。存储器装置的数据存取方法包括：在第一时间区间中，对第一存储单元区块的第一读取选中字线施加读取电压；在第一时间区间中的第一数据读出时间区间中开启第一存储单元区块中的至少一第一存储单元串；在第二...

本发明提供一种数据储存系统及其装置、纠错码装置。数据储存系统包括一个或多个数据储存装置。数据储存装置具有至少一个存储器和包括一至少一个第一纠错码(ECC)译码器的一存储器控制器。该存储器控制器被配置为：从该至少一个存储器读取数据，使用该...

本发明提供一种模拟数字转换器系统、模拟数字转换方法以及转换电路。模拟数字转换器系统包括模拟存储器内运算和转换电路。转换电路（i）用以从所述模拟存储器内运算中对应的一或多个模拟数字转换器中接收一或多个码，（ii）用以响应于接收到的所述一或...

本发明提供一种半导体装置。半导体装置包含基板、在基板上的堆叠结构、介于基板与堆叠结构之间的互连结构、以及贯穿堆叠结构的柱元件。柱元件包含通道层、围绕通道层的存储层与围绕通道层的介电层。介电层与存储层包含不同材料。

本发明提供一种光电路系统及光通信方法。光电路系统包含激光发射装置、第一光学装置群组及第二光学装置群组。第一光学装置群组包含多个第一光学装置，用以自激光发射装置接收标准光信号。第一光学装置各自具有穿透参数，用以根据标准光信号及穿透参数产生...

本公开提供一种存储器内计算存储器装置。该存储器装置包括：一第一权重组，根据多个输入之一而产生一第一输入权重乘积电流于一第一共同位线；一第二权重组，根据这些输入之一而产生一第二输入权重乘积电流于一第二共同位线。该第一共同位线与该第二共同位...

本发明提供一种半导体元件，包括基底、阱区、晶体管元件以及存储器元件。基底包括第一区与第二区。阱区在基底的第一区与第二区中。晶体管元件在第一区的阱区中。存储器元件在第二区的阱区中。晶体管元件与存储器元件之间的阱区是连续的。

本发明公开了一种存储器装置及其操作方法。其中，用于重试读取存储器装置中的数据的操作方法包括：于存储器装置施加第一读取电压，当读取错误时，计算对应于第一读取电压所得到的第一位元值的数量与第二位元值的数量的第一绝对差值；于存储器装置施加第二...

本公开提供了一种数据库电路和数据配对方法。数据库电路包含多个数据电路及一个处理电路。多个数据电路用以储存形成至少一特征数据组的多个特征数据并接收搜寻数据。处理电路用以将搜寻数据与特征数据进行配对以产生多个配对信号，并将多个配对参考值中的...

本公开提供了一种存储器装置及其错误修正方法。存储器装置的错误修正方法，包括：根据写入数据以产生第一写入位以及第二写入位，将第一写入位以及第二写入位分别写入至相对应的第一存储单元以及第二存储单元；在读取模式下，提供页缓冲电路以读取第一存储...

本发明提供一种存储器装置及其控制方法。存储器装置可为具备高容量及高性能的立体NAND闪存。控制方法包括：获得用于对特定存储单元区域进行编程操作的数据；计数数据中位于预定潜在状态的存储单元的数量作为第一数量；基于数据以对特定存储单元区域进...