本发明提供一种用于高效能及高容量的三维（3D）NAND存储器的电压产生电路，所述电压产生电路接收输入控制电流且输出VREF。电压产生电路包含：第一电路，包含串联连接于接收输入控制电流的第一节点与供应节点之间的第一晶体管及第二晶体管；第二...

本发明提供一种3D存储器装置的预充电方法与编程方法。3D存储器装置包括上段字线群、中间虚拟字线群、下段字线群以及底部虚拟字线群。预充电方法包括：选择字线，以进行编程；判断选择的字线是在上段或下段字线群；当字线是上段字线群，对中间虚拟字线...

本发明提供一种存储器装置及其操作方法。存储器该操作方法包含：通过第一字串选择线信号携载第一搜索位元；通过第一字串选择线信号控制第一开关元件；通过第二及第三开关元件储存第一数据位元；以及比较第一搜索位元及第一数据位元以产生第一位线信号，其...

本公开提供一种存储器装置及其操作方法，存储器装置的操作方法，包括：在存储器装置接收到第一操作命令后，开始第一操作循环，包括电压设定期间、第一操作设定期间、第一操作执行期间及第一操作恢复期间；当在第一操作恢复期间结束前，存储器装置接收到第...

本发明提供一种扫描链电路及其操作方法。扫描链电路包括多个扫描链单元。各个扫描链单元包括多个输入扫描触发器及一比较电路。多个输入位元值经由逻辑电路运算后，获得多个实际运算结果位元值。比较电路用以接收这些实际运算结果位元值及多个预设运算结果...

本发明提供一种栅控晶闸管与内容可寻址存储器阵列。栅控晶闸管包括：第一、第二与第三晶体管，其分别具有控制端、第一端与第二端。第一与第三晶体管的控制端连接至搜寻线。第二晶体管的控制端连接至固定偏压，第二端连接至第一晶体管的第一端。第三晶体管...

本发明提供一种存储器元件及其制造方法。该存储器元件包括复合堆叠结构、通道柱、多个电荷储存单元、隧穿层、以及至少一阻挡层。复合堆叠结构包括第一堆叠结构以及第二堆叠结构。第一堆叠结构包括交替堆叠的多个绝缘层与多个导体层，在第一区上方。第二堆...

本公开提供了一种控制方法，用于控制存储器装置的读取操作，包括以下步骤：提供触变信号至存储器装置，触变信号具有触变频率；根据触变信号执行存储器装置的页的读取操作，其中页包括多个区块；设定触变频率为目标触变频率，并根据目标触变频率执行页的第...

本发明提供一种存储器系统及存储器操作方法。存储器操作方法包含：对存储器单元施加第一编程信号，其中第一编程信号的第一脉冲电压小于目标电压；对存储器单元施加第二编程信号，其中第二编程信号的强度小于第一编程信号的强度；以及读取存储器单元的编程...

本发明提供一种存储器装置及存储器控制电路。存储器控制电路用以控制一存储单元阵列。存储器控制电路的处理电路用以通过一命名空间表，依据一命名空间及一逻辑地址，获得一映射群组。处理电路用以通过一逻辑至虚拟映射表，依据映射群组及逻辑地址在映射群...

本发明提供一种存储器元件及其制造方法。该存储器元件包括堆叠结构、通道柱、电荷储存结构以及分隔墙。堆叠结构位于基底上方，包括相互交替的多个导体层与多个绝缘层。通道柱穿过所述堆叠结构。电荷储存结构，位于所述通道柱与所述导体层之间。分隔墙穿过...

本发明提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括基底、第一栅极堆叠结构、第二栅极堆叠结构以及第三栅极堆叠结构。基底包括第一区、第二区与第三区。第一栅极堆叠结构位于所述第一区的所述基底上，且包括第一栅极层以及第一栅极介电层。第二栅极...

本发明提供一种存储器结构、其制造方法、其操作方法及存储器阵列。该存储器结构包括多个绝缘层、多个栅极层、第一掺杂层、多个第二掺杂层、多个第三掺杂层、柱状通道、第一介电层、多个第二介电层及第三介电层。第一掺杂层及柱状通道贯穿交替堆叠的绝缘层...

本公开提供一种用于三维存储器的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：基底，具有存储元件区与围绕存储元件区的周边区，且存储元件区包括存储阵列区与阶梯区；电路结构层，设置于基底上；第一导电层，设置于电路结构层上；堆叠结构，设置于存储元件区...

本发明提供一种用于三维存储器的半导体结构及其制造方法。所述半导体结构可应用于三维AND闪存。所述半导体结构包括基底、绝缘墙以及堆叠结构。所述基底具有阵列区与围绕所述阵列区的阶梯区。所述绝缘墙设置于所述基底上并围绕所述阵列区与所述阶梯区。...

本公开提供了一种存储器元件和用于存储器元件互连的方法。存储器元件包括：多个存储器串的一阵列，耦接至一位线及一共用源极线，该位线及该共享源极线被使能于传送多个信号；一特征逻辑电路；一存储器逻辑电路；一第一一个或多个导体，穿过使能于该特征逻...

本发明提供一种存储器元件，包括堆叠结构、第一导电型掺杂层、第二导电型掺杂层、第一导体插头以及第二导体插头。堆叠结构，位于基底上方，其中所述堆叠结构包括交替堆叠的多个导体层与多个绝缘层。第一导电型掺杂层位于所述堆叠结构与所述基底之间，且所...

本公开提供一种三维存储器元件，其包括堆叠结构以及至少一个通道结构。堆叠结构包括交替堆叠的多层导电层以及多层绝缘层。至少一个通道结构贯穿堆叠结构，其中至少一个通道结构包括顶部部分以及底部部分。被多层导电层中的一层环绕的底部部分的第一宽度与...

本公开提供了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含多个导电层、贯穿导电层的第一栅极柱、围绕第一栅极柱的第一通道元件、在第一通道元件的侧壁上的第一导电条带、以及在第一导电条带的表面上的电荷储存结构。

本公开提供一种存储器结构。该存储器结构包括基板、第一栅极结构与第二栅极结构、以及多个通道本体。基板具有上表面。第一栅极结构与第二栅极结构设置于基板上，在第一方向上彼此分开且分别沿着第二方向延伸。通道本体在第二方向及第三方向上彼此分开且分...