本公开提供了一种存储器元件的制造方法，至少包括以下步骤：在基底上形成第一内连线与第一介电层。对所述第一介电层进行第一化学机械抛光工艺。在所述第一介电层上方形成堆叠结构，并在所述堆叠结构中形成阶梯结构。在所述基底上形成第二介电层，以覆盖所述堆叠结构与所述阶梯结构。对所述第二介电层进行第二化学机械抛光工艺。所述第二化学机械抛光工艺使用的第二抛光垫的第二沟槽的深度低于所述第一化学机械抛光工艺使用的第一抛光垫的第一沟槽的深度。所述的存储器元件可以是具有高容量与高性能3D NAND快闪存储器。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种集成电路的制造方法，且特别是有关于一种存储器元件的制造方法。
技术介绍
1、非易失性存储器元件(如，快闪存储器)由于具有使存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此成为个人计算机和其他电子设备所广泛采用的一种存储器元件。
2、目前业界较常使用的快闪存储器阵列包括或非门(nor)快闪存储器与与非门(nand)快闪存储器。由于nand快闪存储器的结构是使各存储单元串接在一起，其集成度与面积利用率较nor快闪存储器佳，已经广泛地应用在多种电子产品中。此外，为了进一步地提升存储器元件的集成度，发展出一种三维nand快闪存储器。然而，仍存在许多与三维nand快闪存储器相关的挑战。举例来说，在进行阶梯结构上的介电层的化学机械抛光工艺时，常造成抛光垫的沟槽阻塞(groove plugging)，造成工艺必须中断，甚至导致抛光垫寿命减损等问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种存储器元件的制造方法，可以减少抛光垫的沟槽阻塞，以使抛光垫的使用时间以及寿命延长。
>2、依据本专利技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器元件的制造方法，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中，所述第二抛光垫的孔隙率低于所述第一抛光垫的孔隙率。
3.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中，所述第二抛光垫的硬度高于所述第一抛光垫的硬度。
4.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中，所述第二抛光垫的粗糙度低于所述第一抛光垫的粗糙度。
5.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中，第二化学机械抛光工艺使用的修整器具有圆形或甜甜圈形的轮廓。
6.根据权利要求5所述的存储器元件的制造方法，其中，所述第二化学机械抛光工艺...
【技术特征摘要】
1.一种存储器元件的制造方法，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中，所述第二抛光垫的孔隙率低于所述第一抛光垫的孔隙率。
3.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中，所述第二抛光垫的硬度高于所述第一抛光垫的硬度。
4.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中，所述第二抛光垫的粗糙度低于所述第一抛光垫的粗糙度。
5.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中，第二化学机械抛光工艺使用的修整器具有圆形或甜甜圈形的轮廓。
6.根据权利要求5所述的存储器元件的制造方法，其中，所述第二化学机械抛光工艺使用的所述修整器的移除速率高于所述第一化学机械抛光工艺使用的修整器的移除速率。
7.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其中，所述第二化学机械抛光工艺使用的第二抛光液的磨粒的浓度低于所述第一化学机械抛光工艺使用的第一抛光液的磨粒的浓度。
8.根据权利要求7所述的存储器元件的制造方法，其中，所述第二抛光液的所述磨粒包括氧化硅、氧化铝、氧化铈或其组合。
9.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，还包括：
10.根据权利要求9所述的存储器元件的制造方法，其中，所述第二抛光垫的孔隙率低于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张训玮，陈光维，骆统，杨大弘，陈光钊，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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