一种金属-铁电体-绝缘体-半导体结构的制备方法技术

一种金属-铁电体-绝缘体-半导体结构的制备方法，它是一种MFIS结构中Bi2SiO5绝缘层的原位生长技术，其特征在于：利用氧化铋易挥发性，通过Bi盐前驱体溶胶在热处理过程中生成Bi2O3，在铁电层BiFeO3生长温度下一方面与Si衬底上的非晶SiO2反应生成绝缘层，同时另一方面补充铁电层生长过程中所缺失的Bi；该方法有七大步骤。本发明专利技术构思科学，工艺简单，在微电子新材料技术领域里具有较好的实用价值和广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及一种原位生长绝缘层的金属-铁电体-绝缘体-半导体(MFIS)结构的制备方法，它是一种薄膜原位生长技术以及利用该技术制备一种用于非易失铁电储存器的铁电金属-铁电体-绝缘体-半导体结构，属于微电子新材料

技术介绍
铁电材料具有自发极化、存在两种极化状态，因此可用于信息存储领域。作为一种非易失存储器，其存储的信息不会因为断电而丢失，铁电存储器(FerroelectricRandomAccess Memory, FeRAM)有着很好的应用前景。目前商用FeRAM主要由一个晶体管和一个铁电电容器构成(1T-1C)，多用于智能卡、移动通信和个人用数据存储器，如U盘、personal digital assistant (PDA)等。但是FeRAM数据存储密度低,数据的读出操做具 有破坏性，为改进这些缺点，在FeRAM基础上发展了场效应晶体管FeRAM(FETFeRAM)。改进后的FETFeRAM具有存储单元小、低能耗、非破坏性读数据操纵等优点，但是这种结构中存在铁电薄膜与Si基片在界面处有互扩散、两者的热应力不匹配(Si的热膨胀系数一般小于常见氧化物)等不利因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属？铁电体？绝缘体？半导体结构的制备方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：步骤一：Bi氧化物前驱体溶胶由硝酸铋（Bi(NO3)3·6H2O）与柠檬酸按摩尔比1：1.5溶于乙二醇独甲醚中，所得溶液浓度为0.15mol/L；步骤二：BiFeO3溶胶前驱体溶液由硝酸铋（Bi(NO3)3·6H2O），硝酸铁（(FeNO3)3·6H2O）与柠檬酸按阳离子摩尔比1：1.5溶于乙二醇独甲醚中，所得溶液浓度为0.2mol/L，搅拌均匀后静置24小时；步骤三：Si基片依次采用去离子水、无水乙醇和去离子水在超声环境中清洗10分钟，之后置于快速热处理炉中迅速升温至500°C保温5分钟后冷却至室温；步骤四：将处...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王瑶，陈静怡，邓元，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：