温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明是有关于一种非挥发性记忆体装置及其制造方法。该非挥发性记忆体装置的制造方法包括下列步骤：形成一导电层，其中该导电层具有一第一顶部；以及，将该第一顶部转换为一第二顶部，该第二顶部具有一穹形表面。该非挥发性记忆体装置包括：一晶体管结构；以...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。