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一种非挥发性存储器和非挥发性存储器制造方法。根据一个实施例的非挥发性存储器可包括：深阱(Deep?Well)，其配备在基板上；第1阱，其配备在所述深阱区域内；第2阱，其配备在所述深阱区域内与所述第1阱隔离；第1场效应晶体管（MOSFET），...
该专利属于韩国电子通信研究院所有，仅供学习研究参考，未经过韩国电子通信研究院授权不得商用。

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