【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2012年4月19日提交至韩国专利局的韩国申请No.10-2012-0040701的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法,尤其涉及一种具有气隙的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
最近,随着半导体器件的集成度的提高,半导体器件的缺陷率增大。将参照图1A至1D详细描述相关技术的问题。图1A至1D为横截面图,示出根据相关技术的制造NAND快闪存储器件的存储器单元的方法。图1A至1D为沿栅极线截取的NAND快闪存储器件的存储器单元的横截面图。参照图1A,半导体层101包括形成有沟槽109的隔离区,并且有源区A由沟槽109隔开。隧道绝缘层103和用于浮置栅的第一导电膜105a层叠在各个有源区A上。可以仅在使要形成沟槽109的区域开放的隔离掩模107之下保留隧道绝缘层103和第一导电膜105a。随着集成度的增大,有源区A的宽度和沟槽109的宽度减小。因此,具有高集成度的半导体器件的有源区A和沟槽109可以具有极窄的宽度。参照图1B,在整个结构上形成足够数量的隔离层111a,从而填充沟槽109。此处,若具有窄宽度的沟槽109的内部没有完全以隔离层111a填充,则可以在沟槽109内的隔离层111a中产生气隙113。此处,当形成气隙113时,各个沟槽109中的气隙113的位置和尺寸可能是不规则的,而不是一致的。参照图1C,隔离层111a被平坦化,直到暴露出隔离掩模107,并且随后将隔离掩模107去除。随后,通过刻蚀工艺降低隔离层111a的高度,从而暴露第一导电膜105a的上侧壁。 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,包括:衬底,所述衬底包括由多个沟槽分割开的多个有源区;多个隧道绝缘层图案,所述多个隧道绝缘层图案形成于所述有源区上方;多个导电膜图案,所述多个导电膜图案形成于所述隧道绝缘膜图案上方;多个第一隔离层,所述多个第一隔离层形成于所述沟槽的侧壁和底面上;以及多个第二隔离层,所述多个第二隔离层形成于所述导电膜图案之间。
【技术特征摘要】
2012.04.19 KR 10-2012-00407011.一种半导体器件,包括:衬底,所述衬底包括由多个沟槽分割开的多个有源区;多个隧道绝缘层图案,所述多个隧道绝缘层图案形成于所述有源区上方;多个导电膜图案,所述多个导电膜图案形成于所述隧道绝缘层图案上方;多个第一隔离层,所述多个第一隔离层形成于所述沟槽的侧壁和底面上;以及多个第二隔离层,所述多个第二隔离层形成于所述导电膜图案之间,其中,所述多个第一隔离层和第二隔离层中的每个第一隔离层和第二隔离层被形成为在由所述第一隔离层和第二隔离层包围的空间内产生气隙,以及其中,所述气隙朝向所述隧道绝缘层图案中的每个隧道绝缘层图案的侧壁延伸以与所述第一隔离层的顶表面相叠。2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述气隙具有沿与有源区交叉的方向上截取的T形横截面。3.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述多个第一隔离层、所述第二隔离层和所述气隙在与所述多个有源区的延伸方向相同的方向上延伸。4.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述多个隧道绝缘层图案的侧壁比所述有源区的侧壁或所述导电膜图案的侧壁进一步突出。5.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述多个导电膜图案比所述第二隔离层进一步突出于所述衬底上方。6.如权利要求1所述的半导体器件,其中,各个所述有源区的宽度大于各个所述导电膜图案的宽度。7.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述衬底包括单晶硅。8.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述多个导电膜图案包括多晶硅。9.一种半导体器件,包括:衬底,所述衬底包括由多个沟槽分割开的多个有源区;多个导电膜图案,所述多个导电膜图案形成于所述有源区上方;多个隧道绝缘层图案,上述多个隧道绝缘层图案形成于所述有源区与所述导电膜图案之间,且具有比所述导电膜图案和所述有源区的侧壁进一步突出的侧壁,以及第一隔离层,所述第一隔离层形成于所述沟槽中每个沟槽的侧壁和底面上,其中,所述第一隔离层具有第一部分和第二部分,所述第一部分在所述隧道绝缘层图案中的至少一个隧道绝缘层图案之下与所述至少一个隧道绝缘层图案相叠,所述第二部分从所述第一部分延伸到所述沟槽中的至少一个沟槽中并且比所述至少一个隧道绝缘层图案进一步突出。10.如权利要求9所述的半导体器件,还包括:第二隔离层,所述第二隔离层形成于所述导电膜图案之间,其中,所述至少一个隧道绝缘层图案和气隙设置在所述第一隔离层与所述第二隔离层之间。11.如权利要求10所述的半导体器件...
【专利技术属性】
技术研发人员:南相赫,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:
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