温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型涉及一种提高数据存储时间的非挥发性记忆体，其半导体基板内的上部设有记忆体细胞；记忆体细胞包括PMOS访问晶体管、控制电容及编程电容；半导体基板内的上部设有若干隔离沟槽，隔离沟槽内设置有隔离介质以形成领域介质区域；记忆体细胞内的PM...
该专利属于无锡来燕微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡来燕微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。