记忆体结构制造技术

本发明专利技术是有关于一种记忆体结构，其区分为记忆胞区与非记忆胞区，且包括：多个记忆胞以及导体材料。多个记忆胞设置于记忆胞区中，且在此些记忆胞中具有多个第一凹部。导体材料跨越记忆胞区与非记忆胞区并覆盖记忆胞且深入多个第一凹部。藉此，本发明专利技术的记忆体结构，通过使记忆胞区与非记忆胞区中的字元线具有实质上平坦的上表面，可以防止字元线产生断线或者线宽颈缩的问题。此外，还可以将本发明专利技术的记忆体结构应用于不同类型的记忆体元件中，以提高半导体记忆元件的生产品质及效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件，特别是涉及一种可避免字元线断线(opening)或者线宽颈缩(necking)的记忆体结构。
技术介绍
记忆体是用以储存资料或数据的半导体元件，其广为应用于电脑或电子设备中，随着微处理器功能的日渐强大，对于各种类型的记忆体的需求也随之增加。根据不同的记忆体类型的需求会有不同的记忆体结构设计，例如设置有垂直通道结构设计的垂直通道记忆体(vertical channel memory, VC memory)、具有氧化物凹陷(oxide recess)结构的浮置栅极记忆体(floating gate memory, FG memory)以及具有薄膜堆叠结构的三维记忆体(3D memory)等。在一般记忆体布局中，字元线(word line)是横跨主动区域(active region)的， 亦即设置有多个记忆胞的元件密集区域，或称记忆胞区。通常，在半导体元件前段工艺中会因为记忆体结构的设计，而造成用以形成字元线的导体层在横跨至元件密集区域的交界处产生较大的阶差(st印difference) 0此阶差会使得在后续对导体层进行图案化的微影步骤中产生光失焦(defo本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种记忆体结构，其特征在于其区分为一记忆胞区与一非记忆胞区，且包括：多个记忆胞，设置于该记忆胞区中，且在该些记忆胞中具有多个第一凹部；以及一导体材料，跨越该记忆胞区与该非记忆胞区并覆盖该些记忆胞且深入该些第一凹部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄育峰，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：