一种三应变三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种三应变、三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法，在衬底片上制备埋层，生长N型Si外延，制备深槽隔离，制备集电极接触区，再制备基区和发射区，然后形成SiGe?HBT器件；刻蚀出NMOS和PMOS器件有源区深槽，在槽中分别选择性外延生长：P型Si层、P型SiGe渐变层、P型SiGe层、P型应变Si层作为NMOS器件有源区和N型Si层、N型应变SiGe层、N型Si帽层作为PMOS器件有源区；制备虚栅极，进行MOS器件轻掺杂源漏（LDD）注入，制备侧墙，自对准形成MOS器件源漏；刻蚀虚栅，淀积SiON栅介质层和W-TiN复合栅，形成CMOS结构，最终构成BiCMOS电路。该方法充分利用电子迁移率高的张应变Si和空穴迁移率高的压应变SiGe分别作为NMOS和PMOS器件的导电沟道，有效地提高了BiCMOS集成电路的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路
，尤其涉及ー种三应变、三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法。
技术介绍
1958年出现的集成电路是20世纪最具影响的专利技术之一。基于这项专利技术而诞生的微电子学已成为现有现代技术的基础，加速改变着人类社会的知识化、信息化进程，同时也改变了人类的思维方式。它不仅为人类提供了强有力的改造自然的工具，而且还开拓了一个广阔的发展空间。半导体集成电路已成为电子エ业的基础，人们对电子エ业的巨大需求，促使该领域的发展十分迅速。在过去的几十年中，电子エ业的迅猛发展对社会发展及国民经济产生了巨大的影响。目前，电子エ业已成为世界上规模最大的エ业，在全球市场中占据着很大的份额，产值已经超过了 10000亿美元。硅材料作为半导体材料应用经历了 50多年，传统的Si CMOS和BiCMOS技术以其低功耗、低噪声、高输入阻抗、高集成度、可靠性好等优点在集成电路领域占据着主导地位，并按照摩尔定律不断的向前发展。目前，全球90%的半导体市场中，都是Si基集成电路。但是随着器件特征尺寸减小、集成度和复杂性的增强，出现了一系列涉及材料、器件物理、器件结构和エ艺技术等方面的新本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三应变三多晶平面BiCMOS集成器件，其特征在于，应变Si平面沟道？NMOS器件、应变SiGe平面沟道PMOS器件及三多晶SiGe？HBT器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡辉勇，宋建军，宣荣喜，舒斌，张鹤鸣，李妤晨，吕懿，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：