高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法。半导体装置包括半导体衬底、横向半导体二极管、场绝缘结构与多晶硅电阻。二极管形成在半导体衬底的表面区域中，且包含阴极电极与阳极电极。场绝缘结构配置阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻形成在场绝缘结构上，并介于阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻电性连接至阴极电极，并电性绝缘于阳极电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于半导体技木，特别是有关于适合用以提供高压电阻的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
半导体高压(HV) ニ极管例如图I中所示的HV ニ极管100是已知的，举例而言，是用于半导体装置中的驱动器或类似的元件中。ニ极管100包含阴极102与阳极104。一般的方法是排列阴极与多晶硅电阻110并联以达隔离目的。图IB显示图IA中二极管100与电阻110的等效电路图。高压输入112是典型地提供至阴极102与电阻110之间的ニ极管100的阴极102。 如图IA中所示，多晶硅电阻110是典型地形成包含伸长的条纹的图案。伸长的条纹被连接在一起以形成多晶硅结构。多晶硅结构具有根据期望的电阻而选择出的长度。结果，图IA中显示的一般的电阻110占据半导体装置的布局面积的ー些部分114，额外于ニ极管100的布局面积。因此期望减少电阻110占据的布局面积114，以缩减包含HV ニ极管的半导体布局的尺寸。
技术实现思路
一种半导体装置与半导体装置相关的方法。根据本专利技术的一方面，半导体装置可包括半导体衬底与横向半导体ニ极管，横向半导体ニ极管形成在半导体衬底的表面区域中。ニ极管可具有阴极电极与阳极电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：一半导体衬底；一横向半导体二极管，形成在该半导体衬底的一表面区域中，该二极管具有一阴极电极与一阳极电极；一场绝缘结构，配置在该阴极电极与该阳极电极之间；以及一多晶硅电阻，形成在该场绝缘结构上，并介于该阴极电极与该阳极电极之间，该多晶硅电阻被电性连接至该阴极电极，并电性绝缘于该阳极电极。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括 一半导体衬底； 一横向半导体ニ极管，形成在该半导体衬底的一表面区域中，该ニ极管具有一阴极电极与ー阳极电扱； ー场绝缘结构，配置在该阴极电极与该阳极电极之间；以及 一多晶硅电阻，形成在该场绝缘结构上，井介于该阴极电极与该阳极电极之间，该多晶硅电阻被电性连接至该阴极电极，并电性绝缘于该阳极电极。2.根据权利要求I所述的半导体结构，其中该多晶硅电阻被形成在该场绝缘结构的一上表面上以至少部分围绕该阴极电扱。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中该多晶硅电阻包含多个半环区块，同心排列在该阴极电极与该阳极电极之间。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中该些区块包含至少ー最内区块，电性连接至该阴极电极。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中邻近的该些区块被电性连接以从该阴极电极至该半导体ニ极管外部的一末端形成一连续的多晶硅电阻结构。6.根据权利要求I所述的半导体结构，其中该阳极电极包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：林镇元，林正基，连士进，叶清本，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：