半导体装置以及半导体装置的测量方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的测量方法。其易于与外部相连接，且能分别测量各半导体芯片的特性。在第一接触部(131a)和第二接触部(141a)之间设置有间隙并靠近，从而构成从外部连接外部连接端子的螺纹孔(132)(连接区域)。此外，在半导体装置(100)中，第一接触部(131a)经由从侧面延伸出的第一连系部(131b)来从侧面延伸出，第二接触部(141a)经由从侧面延伸出的第二连系部(141b)从侧面延伸出，第一连系部(131b)和第二连系部(141b)隔开一定间隔以上。由此，在半导体装置(100)中，包含并联连接的第一半导体芯片(115)和第二半导体芯片(116)，能作为半导体装置(100)来进行工作。进一步地，在半导体装置(100)中，能得到第一半导体芯片(115)和第二半导体芯片(116)各自的电特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的测量方法。
技术介绍
半导体装置包含多个功率半导体芯片，用作为功率转换装置或开关装置。例如，半导体装置中可将包含IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的半导体芯片、包含MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体芯片并联连接从而起到开关装置的作用(例如，参照专利文献1)。在专利文献1中，IGBT的发射极端子和MOSFET的源极端子以同电位连接至半导体装置的发射极端子，IGBT的集电极端子和MOSFET的漏极端子以同电位连接至半导体装置的外部集电极端子。在这种半导体装置中，从半导体装置的外部集电极端子输入有输入信号，并根据IGBT、MOSFET的栅极的导通、截止状态，从半导体装置的发射极端子得到输出信号，从而实现低损耗的开关功能。然而，在专利文献1的半导体装置中，对于半导体装置的发射极端子和外部集电极端子并联连接有半导体芯片(IGBT、MOSFET)。因此，在专利文献1的半导体装置中，若对出厂时的半导体芯片的耐压、漏电流等特性进行测量，则会测量出特性较低(即，耐压较低或漏电流较大)的半导体芯片的特性，难以测量其他半导体芯片的特性。此外，在测量正向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：配置于金属板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；与所述第一半导体芯片的主电极电连接的第一电极端子；以及与所述第二半导体芯片的主电极电连接的第二电极端子，所述第一电极端子具有第一接触部，所述第二电极端子具有第二接触部，所述第一接触部和所述第二接触部之间设置有间隙并靠近，从而构成从外部连接外部连接端子的连接区域。

【技术特征摘要】
2015.09.17 JP 2015-1838091.一种半导体装置，包括：配置于金属板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；与所述第一半导体芯片的主电极电连接的第一电极端子；以及与所述第二半导体芯片的主电极电连接的第二电极端子，所述第一电极端子具有第一接触部，所述第二电极端子具有第二接触部，所述第一接触部和所述第二接触部之间设置有间隙并靠近，从而构成从外部连接外部连接端子的连接区域。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，层叠基板包括所述金属板、形成于所述金属板的正面的绝缘板，所述层叠基板、所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片收纳于进行收纳的壳体，所述第一接触部和所述第二接触部从所述壳体的侧面延伸出，所述第一电极端子在所述壳体内与所述第一半导体芯片的所述主电极电连接，所述第二电极端子在所述壳体内与所述第二半导体芯片的所述主电极电连接。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一接触部经由从所述侧面延伸出的第一连系部从所述侧面延伸出，所述第二接触部经由从所述侧面延伸出的第二连系部从所述侧面延伸出，所述第一连系部和所述第二连系部隔开一定间隔以上。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一接触部和所述第二接触部作为所述连接区...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤忠彦，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP