半桥式功率半导体模块及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可显著降低在内部的主电流路径上产生的寄生电感的半桥式功率半导体模块及其制造方法。
技术介绍
广泛已知有如下的功率模块，即、在一个封装内收纳有将两个功率半导体装置芯片串联地连接，且以其连接中点为输出端子的半桥式(halfbridge)电路(参照专利文献1及2)。在专利文献1及专利文献2中，将通过在邻接的往返配线上流过相反方向的电流(以下，称为“邻接相反平行通过电流”)减轻配线的寄生电感的电磁学的方法应用于功率模块内部的寄生电感Ls的降低。现有技术文献专利文献专利文献1：(日本)特开2002-112559号专利文献2：(日本)特开2002-373971号专利技术所要解决的课题但是，专利文献1及专利文献2的功率模块的构造中，必然产生主电流的邻接相反平行通过电流不完全的区间。因此，存在不能认为降低寄生电感的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述课题而创立的，其目的在于，提供一种通过改善主电流的邻接相反平行通过电流，降低模块内部的寄生电感的半桥式功率半导体模块及其制造方法。用于解决课题的方案本专利技术的一方式的半桥式功率半导体模块具备：绝缘基板、高侧功率半导...
【技术保护点】
一种半桥式功率半导体模块，其特征在于，具备：绝缘基板，其具备绝缘板、配置于所述绝缘板表面的多个表面配线导体、配置于所述绝缘板的背面的高侧背面配线导体及低侧背面配线导体；低侧功率半导体装置，其背面电极欧姆连接在从所述多个表面配线导体中选择的第二表面配线导体上；高侧功率半导体装置，其背面电极欧姆连接在从所述多个表面配线导体中选择的第一表面配线导体上，且其表面电极与所述第二表面配线导体欧姆连接；桥式端子，其在所述高侧功率半导体装置与所述低侧功率半导体装置之间的位置，从所述第一表面配线导体延伸；第一连接部，其从所述高侧功率半导体装置观察，设置在朝向与向所述低侧功率半导体装置的方位相...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.03 JP 2014-1375891.一种半桥式功率半导体模块，其特征在于，具备：绝缘基板，其具备绝缘板、配置于所述绝缘板表面的多个表面配线导体、配置于所述绝缘板的背面的高侧背面配线导体及低侧背面配线导体；低侧功率半导体装置，其背面电极欧姆连接在从所述多个表面配线导体中选择的第二表面配线导体上；高侧功率半导体装置，其背面电极欧姆连接在从所述多个表面配线导体中选择的第一表面配线导体上，且其表面电极与所述第二表面配线导体欧姆连接；桥式端子，其在所述高侧功率半导体装置与所述低侧功率半导体装置之间的位置，从所述第一表面配线导体延伸；第一连接部，其从所述高侧功率半导体装置观察，设置在朝向与向所述低侧功率半导体装置的方位相反的方位，并将所述第一表面配线导体和所述高侧背面配线导体之间欧姆连接；第二连接部，其从所述低侧功率半导体装置观察，设置在与向所述高侧功率半导体装置的方位相反的方位，并将所述低侧功率半导体装置的表面电极和所述低侧背面配线导体欧姆连接；高侧端子，其在所述高侧功率半导体装置与所述低侧功率半导体装置之间的位置，从所述高侧背面配线导体延伸；低侧端子，其在所述高侧功率半导体装置与所述低侧功率半导体装置之间的位置，从所述低侧背面配线导体延伸。2.如权利要求1所述的半桥式功率半导体模块，其特征在于，经由所述高侧功率半导体装置流过所述高侧端子与所述桥式端子之间的主电流的方向、及经由所述低侧功率半导体装置流过所述低侧端子与所述桥式端子之间的主电流的方向是隔着所述绝缘板的相反方向。3.如权利要求1或2所述的半桥式功率半导体模块，其特征在于，经由所述高侧功率半导体装置流动的主电流中的、流过所述绝缘板的表面侧的主电流的电流重心线和流过所述绝缘板的背面侧的主电流的电流重心线从所述绝缘板的法线方向观察一致。4.如权利要求1～3中任一项所述的半桥式功率半导体模块，其特征在于，经由所述低侧功率半导体装置流动的主电流中的、流过所述绝缘板的表面侧的主电流的电流重心线和流过所述绝缘板的背面侧的主电流的电流重心线从所述绝缘板的法线方向观察一致。5.如权利要求1～4中任一项所述的半桥式功率半导体模块，其特征在于，所述高侧功率半导体装置及所述低侧功率半导体装置以排他性地接通的方式被控制。6.如权利要求1～4中任一项所述的半桥式功率半导体模块，其特征在于，...
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