双半桥注入锁相功率合成霓虹灯制造技术

本实用新型专利技术涉及电光源照明技术领域，具体是一种双半桥注入锁相功率合成霓虹灯。包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、霓虹灯管、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片4、6、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器、灯管异常电流检测器，两个自振荡芯片4、6的RC振荡器共接电阻R4、电容C5同步振荡，自振荡芯片4及半桥逆变器A输出功率变压器T2与自振荡芯片6及半桥逆变器B输出功率变压器T3反相馈入相加耦合器功率合成、升压接入灯管启辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6的RC振荡器锁定相位，获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降。适用于大功率商业广告装饰照明场合。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双半桥注入锁相功率合成霓虹灯，包括电源滤波器EMI、整流桥堆，其特征在于：还包括功率因数校正APFC、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，自振荡芯片内含RC振荡器、半桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片RC振荡器共接电阻R11和电容C15产生同步振荡，输出分别经半桥逆变驱动电路连接均由两个功率MOS场效应管互补组成的半桥逆变器A、半桥逆变器B，自振荡芯片及半桥逆变器A输出功率变压器T2与自振荡芯片及半桥逆变器B输出功率变压器T3反相馈入相加耦合器功率合成、升压接入霓虹灯管引燃起辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片RC振荡器CT端锁定相位，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片RC振荡器输CT端控制振荡快速停振，电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、分频器、自振荡芯片及半桥逆变器A、自振荡芯片及半桥逆变器B的电源端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阮树成，阮雪芬，
申请(专利权)人：阮雪芬，
类型：实用新型
国别省市：