一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架制造技术

本实用新型专利技术公开了一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架，包括引脚、侧连筋、用于承载控制芯片的第一基岛和用于承载MOSFET芯片的第二基岛，所述第一基岛的一侧通过侧连筋与框架外部连接体相连作为第一基岛的一个支撑点，所述第一基岛的另一侧直接与1个引脚相连结作为第一基岛的另外一个支撑点；所述第二基岛的一侧通过侧连筋与框架外部连接体相连作为第二基岛的一个支撑点，所述第一基岛的另一侧直接与两个引脚相连结作为第二基岛的另外一个支撑点；所述第一基岛的高度高于第二基岛的高度。本实用新型专利技术具有成本低、体积小、能同时放置两种芯片和散热性能好的优点。本实用新型专利技术可广泛应用于半导体器件领域。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件领域，尤其是一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架。
技术介绍
SOP8的封装是一种非常普及的小型贴片式形式,它被目前的半导体芯片封装所普遍采用。目前基于SOP8封装形式且内置有一个MOSFET芯片的LED驱动芯片均采用双基岛的设计方案，其一基岛的上方放置一个控制芯片，另一个基岛上放置一个MOSFET芯片，如图1所示。相对于小功率的LED驱动芯片，中大功率的LED驱动芯片就需要在基岛上使用一个带有更大导通电流的MOSFET芯片。当LED驱动芯片在工作时，由于其上大导通电流的MOSFET芯片存在，因此产生的热能会较多，但由于SOP8的体积和封装结构的限制，其所产生的热能无法迅速地散入周围的空气中，容易造成器件的表面温度超过业界的要求温度（在室温的条件下，业界要求的封装体表面温升不得大于60℃）。面对这个问题，目前几乎所有的厂家都采用了最简单的办法，就是直接选择体积更大DIP8的封装形式来解决这个问题，如图2所示。但是与SOP8封装形式相比，DIP8具有高成本、低生产效率以及应用在PCB板上无法小型化的显著缺点。目前也有人提出了使用E本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架，其特征在于：包括引脚（1）、侧连筋（4）、用于承载控制芯片的第一基岛（2）和用于承载MOSFET芯片的第二基岛（3），所述第一基岛（2）的一侧通过侧连筋（4）与框架外部连接体相连作为第一基岛（2）的一个支撑点，所述第一基岛（2）的另一侧直接与1个引脚（1）相连结作为第一基岛（2）的另外一个支撑点；所述第二基岛（3）的一侧通过侧连筋（4）与框架外部连接体相连作为第二基岛（3）的一个支撑点，所述第一基岛（2）的另一侧直接与两个引脚（1）相连结作为第二基岛（3）的另外一个支撑点；所述第一基岛（2）的高度高于第二基岛（3）的高度。

【技术特征摘要】
1.一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架，其特征在于：包括引脚（1）、侧连筋（4）、用于承载控制芯片的第一基岛（2）和用于承载MOSFET芯片的第二基岛（3），所述第一基岛（2）的一侧通过侧连筋（4）与框架外部连接体相连作为第一基岛（2）的一个支撑点，所述第一基岛（2）的另一侧直接与1个引脚（1）相连结作为第一基岛（2）的另外一个支撑点；所述第二基岛（3）的一侧通过侧连筋（4）与框架外部连接体相连作为第二基岛（3）的一个支撑点，所述第一基岛（2）的另一侧直接与两个引脚（1）相连结作为第二基岛（3）的另外一个支撑点；所述第一基岛（2）的高度高于第二基岛（3）的高度。
2.根据权利要求1所述的一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架，其特征在于：所述第一基岛（2）的宽度尺寸小于第二基岛（3）的宽度尺寸。
3.根据权利要求2所述的一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜喆，姜英伟，
申请(专利权)人：广州华微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44