LED灯大功率驱动芯片制造技术

ＬＥＤ灯大功率驱动芯片，ＶＣＣ电源端一路经高压电流源和串联的Ｒ１、Ｒ２采样电阻连接，采样电阻另一端为公共地端ＧＮＤ，另一路连接ＭＯＳＦＥＴ管漏极，ＭＯＳＦＥＴ管源极和公共地端ＧＮＤ连接有Ｒｆ反馈电阻；ＭＯＳＦＥＴ管栅极连接有ＰＷＭ脉宽调制器，Ｒ１、Ｒ２公共连接点和ＰＷＭ脉宽调制器输入端之间串联有Ｎ１、Ｎ２两级比较器，Ｎ１反相端和ＭＯＳＦＥＴ管源极间连接有Ｒ３过流检测电阻，Ｎ２同相端连接有过热保护电路。用ＰＷＭ脉宽调制器脉冲信号控制ＭＯＳＦＥＴ功率开关管栅极电流大小，即调整脉冲的占空比大小，控制ＭＯＳＦＥＴ管输出脉宽功率信号为ＬＥＤ灯提供恒定电流；当温度超过过热保护电路设定值时，过热保护电路输出一低电平，Ｎ２比较器输出一低电平，ＰＷＭ输出脉冲占空比减小，减少ＭＯＳ管的导通时间，减小输出电流，达到降低温度目的。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
ＬＥＤ灯大功率驱动芯片，其特征在于：ＶＣＣ电源端一路经高压电流源和串联的Ｒ１、Ｒ２采样电阻连接，采样电阻另一端为公共地端ＧＮＤ，另一路连接ＭＯＳＦＥＴ管漏极，ＭＯＳＦＥＴ管源极和公共地端ＧＮＤ连接有Ｒｆ反馈电阻；ＭＯＳＦＥＴ管栅极连接有ＰＷＭ脉宽调制器，Ｒ１、Ｒ２采样电阻公共连接点和ＰＷＭ脉宽调制器输入端之间串联有Ｎ１、Ｎ２两级比较器，Ｎ１的反相端和ＭＯＳＦＥＴ管源极间连接有Ｒ３过流检测电阻，Ｎ２的同相端连接有过热保护电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李江淮，
申请(专利权)人：李江淮，
类型：实用新型
国别省市：92[中国|厦门]