双芯片LED灯制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双芯片LED灯，包括基板、第一LED芯片、第二LED芯片、出光面，所述基板和出光面所形成的腔体内设有一双面反射膜，所述双面反射膜将所述腔体分隔成对称的一左腔体、一右腔体，所述第一LED芯片、所述第二LED芯片分别设置在所述左腔体、右腔体内的基板上，两者通过超导体硅片连接。采用本实用新型专利技术结构的LED灯漫反射效果大大增强，也即提高了单个LED灯的亮度，结构简单，效果好。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及IXD液晶显示领域，尤其涉及一种背光源LED灯束。
技术介绍
目前，IXD液晶显示模组越来越薄，导光板也随之变薄，亮度要求却越来越高。由于市场上V-CUT技术(V-CUT是微小的锯齿或半圆形结构，作用是将光由边缘方向导向视向方向，并增加亮度和使光均匀)已成熟，对导光板做进一步改进从而增加亮度的方法已难以取得理想效果，因此只能通过增加导光板FPC上LED灯的亮度来满足客户需求。各厂家IXD尺寸相当且导光板FPC上LED灯的数目已达极限，不可能再增加LED灯数量，因此必需提高单个LED灯的亮度，来解决上述问题。
技术实现思路
本技术在于解决上述问题，提供一种双芯片LED灯，从而提高单个LED灯亮度。为解决上述技术问题，本技术采用如下所述的技术方案:一种双芯片LED灯，包括基板、第一 LED芯片、第二 LED芯片、出光面，其特征在于:所述基板和出光面所形成的腔体内设有一双面反射膜，所述双面反射膜将所述腔体分隔成对称的一左腔体、一右腔体，所述第一 LED芯片、所述第二 LED芯片分别设置在所述左腔体、右腔体内的基板上，两者通过超导体硅片连接。进一步地，所述左腔体、右腔体的出光面均为凹形曲面，所述凹形曲面的最底端对应所述第一 LED芯片、第二 LED芯片的中心。进一步地，所述出光面与所述基板通过L型的金属片焊接在一起。进一步地，所述第一 LED芯片、第二 LED芯片的中心点间距为1.9mm。本技术与现有技术相比的有益效果是:所述双面反射膜将所述腔体分隔成对称的一左腔体、一右腔体，仅用一层双面反射膜便增加了光学表面的反射率，同时提高了第一 LED芯片、第二 LED芯片两个芯片的亮度，也即提高了单个LED灯的亮度，结构简单，效果好。【附图说明】图1是本技术结构示意图；图2是现有单芯片LED灯的漫反射效果图；图3是本技术的漫反射效果图。【具体实施方式】为了更充分理解本技术的
技术实现思路
，下面结合具体实施例对本技术的技术方案作进一步介绍和说明。如图1所示，一种双芯片LED灯，包括基板1、第一 LED芯片2、第二 LED芯片3、出光面4，其特征在于:所述基板I和出光面4所形成的腔体内设有一双面反射膜5，所述双面反射膜5将所述腔体分隔成对称的一左腔体、一右腔体，所述第一 LED芯片2、所述第二 LED芯片3通过超导体硅片6连接，且分别设置在所述左腔体、右腔体内的基板I上。所述双面反射膜能5增加光学表面的反射率，由于单个LED芯片(即一个灯珠)发射的光一般不强，所以要充分利用每一丝光源，尽可能增加反射率，提高LED灯的亮度。将双面反射膜5置于所述左腔体、右腔体中间，仅用一层双面反射膜5就同时提高了第一 LED芯片2、第二 LED芯片3两个芯片的亮度，结构简单，效果好。所述左腔体、右腔体的出光面4均为凹形曲面，所述凹形曲面最底端对应所述第一 LED芯片2、第二 LED芯片3的中心。将出光面4设为凹形曲面，可增加漫反射，整个出光面4受光均匀。所述出光面4与所述基板I通过L型的金属片7焊接在一起。锡膏受热后沿此金属片7流动，当锡膏逐步冷却凝固后便在出光面4和基板I之间形成焊点，而L型的焊接面增加了焊点面积，大大提升了产品良率，避免虚焊现象。所述第一 LED芯片2、第二 LED芯片3的中心点间距d可以根据LED灯外形尺寸进行调整。在一些优选方案中，当LED灯外形尺寸较小时，例如在出光面4两端距离为3.5_、LED灯整体高度为Imm的情况下，所述第一 LED芯片2、第二 LED芯片3的中心点间距可以小到1.9mm。如图2?3所示，本实用新与现有单芯片LED灯外形尺寸一样，但是采用本技术结构的LED灯漫反射效果大大增强，也即提高了单个LED灯的亮度。以上陈述仅以实施例来进一步说明本技术的
技术实现思路
，以便于读者更容易理解，但不代表本技术的实施方式仅限于此，任何依本技术所做的技术延伸或再创造，均受本技术的保护。【主权项】1.一种双芯片LED灯，包括基板、第一 LED芯片、第二 LED芯片、出光面，其特征在于:所述基板和出光面所形成的腔体内设有一双面反射膜，所述双面反射膜将所述腔体分隔成对称的一左腔体、一右腔体，所述第一 LED芯片、所述第二 LED芯片分别设置在所述左腔体、右腔体内的基板上，两者通过超导体硅片连接。2.如权利要求1所述的双芯片LED灯，其特征在于:所述左腔体、右腔体的出光面均为凹形曲面，所述凹形曲面的最底端对应所述第一 LED芯片、第二 LED芯片的中心。3.如权利要求1所述的双芯片LED灯，其特征在于:所述出光面与所述基板通过L型的金属片焊接在一起。4.如权利要求1所述的双芯片LED灯，其特征在于:所述第一LED芯片、第二 LED芯片的中心点间距为1.9mm。【专利摘要】本技术公开了一种双芯片LED灯，包括基板、第一LED芯片、第二LED芯片、出光面，所述基板和出光面所形成的腔体内设有一双面反射膜，所述双面反射膜将所述腔体分隔成对称的一左腔体、一右腔体，所述第一LED芯片、所述第二LED芯片分别设置在所述左腔体、右腔体内的基板上，两者通过超导体硅片连接。采用本技术结构的LED灯漫反射效果大大增强，也即提高了单个LED灯的亮度，结构简单，效果好。【IPC分类】H01L25-13, H01L33-60【公开号】CN204303864【申请号】CN201420871346【专利技术人】郭勇 【申请人】深圳市艾卓尔泰科技开发有限公司【公开日】2015年4月29日【申请日】2014年12月31日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双芯片LED灯，包括基板、第一LED芯片、第二LED芯片、出光面，其特征在于：所述基板和出光面所形成的腔体内设有一双面反射膜，所述双面反射膜将所述腔体分隔成对称的一左腔体、一右腔体，所述第一LED芯片、所述第二LED芯片分别设置在所述左腔体、右腔体内的基板上，两者通过超导体硅片连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭勇，
申请(专利权)人：深圳市艾卓尔泰科技开发有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44