LED芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种LED芯片，包括：依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层、反射层和隔离层，多个第一电极孔，多个第二电极孔，第一电极，第二电极。其中，围绕一个所述第一电极孔的至少两个所述第二电极孔均匀分布，所述第一电极孔用以使所述第一电极与所述第一导电型半导体层电性连接，所述第二电极孔用以使所述第二电极与所述第二导电型半导体层电性连接。本实用新型专利技术实施例的LED芯片能够使得LED芯片中至少部分正电极到负电极的距离一致、至少部分正电极到负电极的电流所流经的电阻一致，从而能够提高电流密度的均匀性、发光的均匀性。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种LED芯片，包括：依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层、反射层和隔离层，多个第一电极孔，多个第二电极孔，第一电极，第二电极。其中，围绕一个所述第一电极孔的至少两个所述第二电极孔均匀分布，所述第一电极孔用以使所述第一电极与所述第一导电型半导体层电性连接，所述第二电极孔用以使所述第二电极与所述第二导电型半导体层电性连接。本技术实施例的LED芯片能够使得LED芯片中至少部分正电极到负电极的距离一致、至少部分正电极到负电极的电流所流经的电阻一致，从而能够提高电流密度的均匀性、发光的均匀性。【专利说明】LED芯片
本技术涉及发光元件
，尤其涉及一种LED芯片。
技术介绍
随着LED (Light Emitting Diode,发光二极管)照明技术的日益发展，LED在人们日常生活中的应用也越来越广泛。LED的发光是利用正极的电流到达负极所完成，电流会以电阻最小的路线由正极到达负极，一般电阻值决定于电流路线的远近，正极到负极越近则电阻值越小、正极到负极越远则电阻就越大。然而，现有LED中的电极通常为金属线状，这使得单点的一个电流从正极进入负极，并以正极到负极给电流最近的距离最亮，其它位置将由于距离金属线较远而电阻较大、相对较暗，从而存在电流密度不均匀、导致发光不均匀的问题。
技术实现思路
抟术问是页有鉴于此，本技术要解决的技术问题是，如何使得LED的发光尽量均匀。解决方案为了解决上述问题，根据本技术一实施例，提供了一种LED芯片，其包括:衬底；第一导电型半导体层，位于所述衬底的正面；发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；反射层，位于所述第二导电型半导体层的正面；多个第一电极孔，各自延伸穿过所述反射层、所述第二导电型半导体层和所述发光层；多个第二电极孔，各自延伸穿过所述反射层；第一电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第一电极孔与所述第一导电型半导体层电性接触；第二电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第二电极孔与所述第二导电型半导体层电性接触；以及隔离层，位于所述反射层的正面，用以将所述第一电极与所述第二电极绝缘隔离，其中，在所述反射层的正面上，所述多个第一电极孔呈M行N列的矩阵式分布，M为大于或等于I的整数，N为大于或等于2的整数，各行所述第一电极孔在所述反射层的正面等间距分布，各列所述第一电极孔在所述反射层的正面等间距分布，围绕一个所述第一电极孔的至少两个所述第二电极孔均匀分布并且所述至少两个所述第二电极孔在所述反射层的正面的垂直投影到被围绕的所述第一电极孔在所述反射层的正面的垂直投影的距离相同。对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，各行所述第一电极孔在所述反射层的正面的垂直投影的中心在一条直线上，各列所述第一电极孔在所述反射层的正面的垂直投影的中心在一条直线上。对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，所述第一电极包括:填充各所述第一电极孔的电极材料，以及将填充位于第二电极区内的第一电极孔中的电极材料连接至位于第一电极区内的第一电极孔中的电极材料的引线，其中，所述第一电极区是指所述第一电极在所述反射层的正面的存在区域，所述第二电极区是指所述第二电极在所述反射层的正面的存在区域；所述第二电极包括:填充各所述第二电极孔的电极材料，以及使填充各所述第二电极孔的电极材料避开各所述第一电极孔和所述引线而相互连接的部分。对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，所述多个第一电极孔在所述反射层的正面的垂直投影的面积总和相对于所述反射层的正面的面积的比值不低于1% ;所述多个第二电极孔在所述反射层的正面的垂直投影的面积总和相对于所述反射层的正面的面积的比值不低于1%。对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，还包括导电层，所述导电层位于所述第二导电型半导体层和所述反射层之间，并且所述第一电极孔延伸穿过所述导电层。对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，在所述导电层、所述第一电极和所述第二电极至少之一上形成有保护层。对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，还包括绝缘保护膜，所述绝缘保护膜覆盖该LED芯片的所有侧面、而仅暴露所述第一电极和所述第二电极。_4] 有益.效果通过使围绕一个所述第一电极孔的至少两个所述第二电极孔均匀分布，其中，第一电极孔用以使第一电极与第一导电型半导体层电性连接，第二电极孔用以使第二电极与第二导电型半导体层电性连接，根据本技术实施例的LED芯片能够使得LED芯片中至少部分正电极到负电极的距离一致、至少部分正电极到负电极的电流岁流经的电阻一致，从而与现有技术相比，能够提高电流密度的均匀性、发光的均匀性。根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本技术的其它特征及方面将变得清楚。【专利附图】【附图说明】包含在说明书中并且构成说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本技术的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本技术的原理。图1为本技术实施例的LED芯片的制造方法的流程图；图2 (a)?图2 (d)分别为本技术实施例的LED芯片的制造方法中所形成结构的剖面图；图3 (a)?图3 (e)分别为本技术实施例的LED芯片的制造方法中所形成结构的俯视图；图4为本技术实施例的LED芯片的结构示意图。附图标记说明10:衬底；20:第一导电型半导体层；30:发光层；40:第二导电型半导体层；50、51、52、410:第一电极孔；60:导电层；70:反射层；80、420:第二电极孔；90:绝缘保护层；400 =LED芯片；500:第一电极；800:第二电极。【具体实施方式】以下将参考附图详细说明本技术的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。另外，为了更好的说明本技术，在下文的【具体实施方式】中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本技术同样可以实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本技术的主旨。图1为根据本技术实施例的LED芯片制造方法的流程图，结合图2 Ca)至图2 (d)、图3 (a)至图3 (e)所示详细说明如下。该方法包括:步骤SI，对于在衬底10上依次层叠有第一导电型半导体层20、发光层30和第二导电型半导体层40的LED外延片，通过例如干式或者湿式的蚀刻方式，利用第一掩模刻蚀第二导电型半导体层40及发光层30以暴露第一导电型半导体层20，形成如图2 Ca)所示第二导电型半导体层40和发光层30中包含有多个第一电极孔的结构。其中，第一电极孔将用于使下述的第一电极与第一导电型半导体层20接触。在一种可能的实现方式中，如图3 (a)所示，所述LED芯片可以包括三个第一电极孔，且呈I行3列的矩阵式分布。具体地，第一电极孔50、第一电极孔51、以及第一电极孔52在第一导电型半导体层20本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片，其特征在于，包括：?衬底；?第一导电型半导体层，位于所述衬底的正面；?发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；?第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；?反射层，位于所述第二导电型半导体层的正面；?多个第一电极孔，各自延伸穿过所述反射层、所述第二导电型半导体层和所述发光层；?多个第二电极孔，各自延伸穿过所述反射层；?第一电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第一电极孔与所述第一导电型半导体层电性接触；?第二电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第二电极孔与所述第二导电型半导体层电性接触；以及?隔离层，位于所述反射层的正面，用以将所述第一电极与所述第二电极绝缘隔离，?其中，在所述反射层的正面上，所述多个第一电极孔呈M行N列的矩阵式分布，M为大于或等于1的整数，N为大于或等于2的整数，各行所述第一电极孔在所述反射层的正面等间距分布，各列所述第一电极孔在所述反射层的正面等间距分布，围绕一个所述第一电极孔的至少两个所述第二电极孔均匀分布并且至少两个所述第二电极孔在所述反射层的正面的垂直投影到被围绕的所述第一电极孔在所述反射层的正面的垂直投影的距离相同。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴裕朝，刘艳，王瑞庆，
申请(专利权)人：刘艳，
类型：实用新型
国别省市：