金属电极具有阵列型微结构的发光二极管及其制造方法技术

本申请提供了一种金属电极具有阵列型微结构的发光二极管，包括外延片衬底和制备在外延片衬底上的多层结构，所述多层结构由下至上依次为缓冲层、第一型半导体层、多量子阱活性层、电子阻挡层、第二型半导体层和透明电流扩展层，第一型金属电极和第二型金属电极制备在透明电流扩展层之上，且第一型金属电极和透明电流扩展层与第二型半导体层之间由绝缘层隔开。本申请还提供了相应的发光二极管制作方法。本发明专利技术能够明显改善发光二极管芯片在制造过程中有源区面积大幅减小的情况，可以有效的提高发光二极管的光功率。

【技术实现步骤摘要】
金属电极具有阵列型微结构的发光二极管及其制造方法
本专利技术涉及LED
，具体地说，本专利技术涉及一种具有阵列型微结构的发光二极管及其制备方法。
技术介绍
发光二极管（LightEmittingDiodes，LEDs）由于具有电光转换效率高、节能、环保、寿命长、体积小等优点，使得基于LED的半导体照明被认为是二十一世纪最有可能进入普通照明领域的一种新型固体冷光源和最具发展前景的高新
之一。半导体照明广泛应用的关键是要提高其电光转换效率。其中，提高氮化物LED芯片的内量子效率和出光效率是提高LED的整体电光转换效率的有效途径之一。LED芯片的内量子效率主要取决于外延材料的质量和外延结构，而出光效率主要与芯片结构有关。因此，需要从材料、外延结构、芯片表面、侧面以及背面形态等方面去提高LED芯片的内量子效率与出光效率。对于在蓝宝石衬底上外延生长的水平结构功率型发光二极管芯片，其p-n电极位于同一侧，由于电流的流动会遵守最短路线的路径,因此在大电流操作条件下容易导致电流堵塞。进一步会形成热积效应，降低功率型发光二极管芯片的内量子效率，导致有源区发光不均匀。因此需要对功率型发光二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属电极具有阵列型微结构的发光二极管，包括外延片衬底和制备在外延片衬底上的多层结构，所述多层结构由下至上依次为缓冲层、第一型半导体层、多量子阱活性层、电子阻挡层、第二型半导体层和透明电流扩展层，第一型金属电极和第二型金属电极制备在透明电流扩展层之上，金属电极保护焊盘和导线两部分，且两部分自然连接，第一型金属电极和透明电流扩展层与第二型半导体层之间由绝缘层隔开，第二型金属电极的焊盘和透明电流扩展层之间由电流阻挡层隔开，所述第一型金属电极通过多个填充金属的微孔与所述第一型半导体层实现电连接，所述微孔中的金属与微孔所穿过的发光二极管各层之间具有侧壁绝缘层，所述发光二极管的最上层沉积有钝化保护层。

【技术特征摘要】
1.一种金属电极具有阵列型微结构的发光二极管，包括外延片衬底和制备在外延片衬底上的多层结构，所述多层结构由下至上依次为缓冲层、第一型半导体层、多量子阱活性层、电子阻挡层、第二型半导体层和透明电流扩展层，第一型金属电极和第二型金属电极制备在透明电流扩展层之上，金属电极保护焊盘和导线两部分，且两部分自然连接,第一型金属电极和透明电流扩展层与第二型半导体层之间由绝缘层隔开，第二型金属电极的焊盘和透明电流扩展层之间由电流阻挡层隔开，所述第一型金属电极通过多个填充金属的微孔与所述第一型半导体层实现电连接，所述微孔中的金属与微孔所穿过的发光二极管各层之间具有侧壁绝缘层，所述发光二极管的最上层沉积有钝化保护层。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述微孔具有坡度，形成倒梯形结构。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述微孔的坡度的倾斜角为30°～70°。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一型金属电极在所述微孔处具有电性连接微结构，电性连接微结构的整体尺寸在20um～50um之间。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述电性连接微结构以一定间距分布在所述第一型金属电极的导线上。6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述电性连接微结构的间距与所述电性连接微结构的整体尺寸的比值在1～4之间。7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述微孔中的侧壁绝缘层的内孔尺寸至少小于所述微孔尺寸5um。8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述微孔是圆形或者正多边形，或者带有波浪的圆形或正多边形，或者带有锯齿的圆形或正多边形。9.根据权利要求1至7中任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述透明电流扩展层采用ITO、RuOx、IrOx或者第三主族元素掺杂的ZnO制作。10.根据权利要求1至7中任一项所述的发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：周圣军，王书方，
申请(专利权)人：广东量晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44