【技术实现步骤摘要】
一种大功率LED芯片的制作方法
本专利技术涉及LED器件生产领域，特别地，涉及一种提高大功率阵列式LED芯片亮度的制作方法。
技术介绍
随着第三代半导体技术的蓬勃发展，半导体照明以节能，环保，亮度高，寿命长等优点，成为社会发展的焦点，也带动了整个行业上中下游产业的方兴未艾。GaN基LED芯片是半导体照明的“动力”，近年来性能得到大幅提升，生产成本也不断降低，为半导体照明走进千家万户做出突出贡献。半导体照明技术中，GaN基蓝光LED芯片制造以及封装后蓝光LED激发荧光粉得到白光是其照明的核心技术，降低芯片制造和封装成本以及工艺难度是普及半导体照明的关键因素之一。传统功率型LED灯珠(如1W、3W、5W、10W等)大多采用多颗功率型芯片以合适的串、并联形式被封装在本身具有电路结构的支架中而得到，这种方式最终驱动电流小，但是灯珠两端的电压高，而且对封装技术要求很高，串并联时打线多，不但工艺繁复，而且可靠性难以保证,并且成本相对较高。在普通的阵列式芯片中，芯片内部实现阵列式电路连接，具有良好的电性能，并且节约成本、提高良率。不过由于P型电极线同时占据了 P-GaN...
【技术保护点】
一种大功率LED芯片的制作方法，其特征在于，依次包括在外延片表面沉积电流阻挡层、沉积透明导电层、去除杂物、高温退火、制作焊盘和电极线的步骤，其中，所述沉积电流阻挡层步骤为：在P型焊盘区域和P型电极线的位置下方沉积电流阻挡层，所述电流阻挡层在440?720nm范围内透明；在沉积电流阻挡层步骤之前，或者在去除杂物步骤和高温退火步骤之间，进行加工发光区台面使其露出N型GaN层及形成隔离道的步骤；所述去除杂物的步骤为：去除N型焊盘区、N型电极线沟槽和P型焊盘区的导电物质；所述高温退火步骤为：在10?20℃/min的升温速率下、同时8?13slm/min的氮气气氛，升到540?580...
【技术特征摘要】
1.一种大功率LED芯片的制作方法，其特征在于，依次包括在外延片表面沉积电流阻挡层、沉积透明导电层、去除杂物、高温退火、制作焊盘和电极线的步骤，其中， 所述沉积电流阻挡层步骤为:在P型焊盘区域和P型电极线的位置下方沉积电流阻挡层，所述电流阻挡层在440-720nm范围内透明； 在沉积电流阻挡层步骤之前，或者在去除杂物步骤和高温退火步骤之间，进行加工发光区台面使其露出N型GaN层及形成隔离道的步骤； 所述去除杂物的步骤为:去除N型焊盘区、N型电极线沟槽和P型焊盘区的导电物质； 所述高温退火步骤为:在10-20°C /min的升温速率下、同时8_13slm/min的氮气气氛，升到540-580°C，恒温5-8min，使透明导电层更加致密，并且与P型GaN层之间形成良好的欧姆接触； 所述制作焊盘和电极线步骤为:通过负胶光刻、扫胶、沉积、剥离等方式制作P型电极焊盘、N型电极焊盘、P型电极线和N型电极线，所述P型电极线仅分布在P型GaN层表面，透明导电层之上。2.根据权利要求1所述的一种大功率LED芯片的制作方法，其特征在于，所述加工发光区台面的方法包括黄光光刻、电感耦合等离子体刻蚀或湿法腐蚀、去胶清洗步骤。3.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：田艳红，许顺成，汪延明，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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