【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的电极结构
本专利技术属于发光二极管
，特别涉及一种发光二极管的电极结构。
技术介绍
发光二极管是由半导体材料所制成的发光元件，元件具有两个电极端子，在端子间施加电压，通入极小的电流，经由电子电洞的结合可将剩余能量以光的形式激发释出，此即发光二极管的基本发光原理。发光二极管芯片的常规结构包括一个在通电后产生光福射的半导体发光结构，以及此半导体结构与外界电源相连的电极。发光二极管芯片设计的重点在于提高半导体结构的光辐射效率以及提高半导体结构与外界电源的连接质量。中国专利公开文献CN102214625A公开了一种发光二极管的电极结构，这种结构通过将电极的表面粗糙化，从而在打线时增强键合金丝与电极的附着力，今儿提高发光二极管芯片与外界电源的连接质量。这种电极结构虽然能够在一定程度上增加电极的连接质量，但是由于电极为平面电极，因此打线后，键合金丝与电极的连接仍然局限于电极的平面范围，因此其键合金丝与电极的结合力仍然无法大幅度的提高，存在脱线的可能，从而影响发光二极管的质量。而且，在某些对电极电连接质量要求特别严格的场合，特别是电极接触电阻要...
【技术保护点】
一种发光二极管的电极结构，其特征在于：该电极结构包括底部平坦电极，在该底部平坦电极上具有：第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，其中第二金属电极位于第一金属电极和第三金属电极之间。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的电极结构，其特征在于: 该电极结构包括底部平坦电极，在该底部平坦电极上具有:第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，其中第二金属电极位于第一金属电极和第三金属电极之间。2.如权利要求1所述的电极结构，其特征在于: 其中第一金属电极的底面为正方形，所述第二金属电极环绕第一金属电极形成，并且其底面也为正方形，所述第三金属电极环绕第二金属电极形成，并且其底面...
【专利技术属性】
技术研发人员：丛国芳，
申请(专利权)人：溧阳市东大技术转移中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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