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本发明提供了一种大功率LED芯片的制作方法，依次包括在外延片表面沉积电流阻挡层、沉积透明导电层、去除杂物、高温退火、制作焊盘和电极线、二次高温退火的步骤，其中，在沉积电流阻挡层步骤之前，或者在去除杂物步骤和高温退火步骤之间，进行加工发光区台...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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