一种发光二极管的电极结构制造技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管电极结构，所述发光二极管电极为正方形电极，其分为上下两部分，其中下部分电极为平坦电极，上部分电极为凸块电极，凸块电极包括一个第一凸块电极，多个第二凸块和多个第三凸块电极；其中，第一凸块电极位于发光二极管电极的中心，多个第二凸块电极位于以第一凸块电极为中心的相互垂直的交叉线上，从而与第一凸块电极形成十字形；多个第三凸块电极位于正方形的发光二极管电极的四个角落。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的电极结构
本专利技术属于发光二极管
，特别涉及一种发光二极管的电极结构。
技术介绍
半导体发光二极管(Light Emitting Diode)应用日益广泛，特别是在照明方面有取代白炽灯和荧光灯的趋势。发光二极管是由半导体材料所制成的发光元件，元件具有两个电极端子，在端子间施加电压，通入极小的电流，经由电子电洞的结合可将剩余能量以光的形式激发释出，此即发光二极管的基本发光原理。发光二极管不同于一般白炽灯泡，发光二极管是属冷发光，具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用上的需求制成极小或阵列式的元件，目前发光二极管已普遍使用于资讯、通讯及消费性电子产品的指示器与显示装置上，成为日常生活中不可或缺的重要元件。发光二极管芯片的常规结构包括一个在通电后产生光福射的半导体发光结构，以及此半导体结构与外界电源相连的电极。发光二极管芯片设计的重点在于提高半导体结构的光辐射效率以及提高半导体结构与外界电源的连接质量。中国专利公开文献CN102214625A公开了一种发光二极管的电极结构，这种结构通过将电极的表面粗糙化，从而在打线时增强引线与电极的附着力，今儿提高发光二极管芯片与外界电源的连接质量。这种电极结构虽然能够在一定程度上增加电极的连接质量，但是由于电极为平面电极，因此打线后，引线与电极的连接仍然局限于电极的平面范围，因此其引线与电极的结合力仍然无法大幅度的提高，存在脱线的可能，从而影响发光二极管的质量。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的问题，提出了一种大幅度增强电极与引线结合力的电极结构。首先对本专利技术所采用的“上”、“下”进行定义，在本专利技术中，通过参照附图，本专利技术所述的“上”为附图中面向附图时垂直向上的方向。本专利技术所述的“下”为附图中面向附图时垂直向下的方向，本文所述的“高度”是指面向附图时垂直方向上的距离。本专利技术提出的发光二极管电极结构为:所述发光二极管电极为正方形电极，其分为上下两部分，其中下部分电极为平坦电极，上部分电极为凸块电极；其中，凸块电极包括一个第一凸块电极，多个第二凸块电极和多个第三凸块电极；其中，第一凸块电极位于发光二极管电极的中心，多个第二凸块电极位于以第一凸块电极为中心的相互垂直的交叉线上，从而与第一凸块电极形成十字形；多个第三凸块电极位于正方形的发光二极管电极的四个角落；其中，第一凸块电极和多个第三凸块电极为正方形,第一凸块电极边长为第三凸块电极边长的两倍；多个第二凸块电极为长方形，其长等于第一凸块电极的边长，其宽等于第三凸块电极的边长；其中，第一凸块电极、第二凸块电极、第三凸块电极的高度相同。【附图说明】图1-3为本专利技术提出的发光二极管电极结构的示意图。【具体实施方式】参见图1-3来介绍本专利技术提出的发光二极管的电极结构。参见图1，图1为发光二极管电极结构的截面图，其中所述电极结构包括上下两部分，分别为平坦电极10和凸块电极20。凸块电极20包括第一凸块电极21、多个第二凸块电极22和多个第三凸块电极23。参见图2，第一凸块电极21位于发光二极管电极的中心，多个第二凸块电极22位于以第一凸块电极21为中心的相互垂直的交叉线上，从而与第一凸块电极21形成十字形；多个第三凸块电极23位于正方形的发光二极管电极的四个角落；其中，第一凸块电极21和多个第三凸块电极23为正方形,第一凸块电极21的边长为第三凸块电极23的边长的两倍；多个第二凸块电极22为长方形,其长等于第一凸块电极21的边长，其宽等于第三凸块电极23的边长；其中，第一凸块电极21、第二凸块电极22、第三凸块电极23的高度相同。参见图2，在对发光二极管电极进行打线的过程中，引线30被置于发光二极管电极的上方，通过打线压块将引线30压到发光二极管电极上。由于发光二极管电极上具有多个凸块电极，因此，在引线被下压的过程中，引线除了被压至凸块电极的表面以外，还被压至每个凸块之间的凹槽中。当完成打线工艺以后，引线与发光二极管电极的结合就如图3所示，这种电极与引线的结合结构中，由于引线的一部分被嵌入到凸块电极之间的凹槽内，因此，引线与电极之间的结合力得以大幅度的增大，从而解决了现有技术中引线与电极结合不牢的问题。在本专利技术中，平坦电极10优选采用ITO (氧化铟锡)，凸块电极(包括第一、第二和第三凸块电极)可米用合金材料，例如Ti/Au合金材料。需要说明的是，本专利技术的附图仅示出了发光二极管的电极结构，而并没有示出发光二极管的结构，本领域技术人员应当知晓的是，本专利技术的发光二极管电极结构应当形成在发光二极管的半导体层上，例如在由P型半导体层、半导体发光层、η型半导体层构成的发光二极管结构中，附图中所示的平坦电极10的下方应当为P型半导体层(此时可作为发光二极管的下电极)，或者为η型半导体层(此时可作为发光二极管的上电极)。进一步的，为了简化电极的结构又不失增强电极与引线的结合效果，第一凸块电极21的数量为一个,第二凸块电极22的数量为8个,其每两个分别位于第一凸块电极21的上下左右侧(以图3所示)，第三凸块电极的数量为16个，每四个分别位于正方形发光二极管电极的四个角落(以图3所示)。至此已对本专利技术做了详细的说明，但前文的描述的实施例仅仅只是本专利技术的优选实施例，其并非用于限定本专利技术。本领域技术人员在不脱离本专利技术精神的前提下，可对本专利技术做任何的修改，而本专利技术的保护范围由所附的权利要求来限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管电极结构，其特征在于：所述发光二极管电极为正方形电极，其分为上下两部分，其中下部分电极为平坦电极，上部分电极为凸块电极。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管电极结构，其特征在于: 所述发光二极管电极为正方形电极，其分为上下两部分，其中下部分电极为平坦电极，上部分电极为凸块电极。2.如权利要求1所述的发光二极管电极结构，其特征在于: 凸块电极包括一个第一凸块电极，多个第二凸块电极和多个第三凸块电极； 其中，第一凸块电极位于发光二极管电极的中心，多个第二凸块电极位于以第一凸块电极为中心的相互垂直的交叉线上，从而与第一凸块电极形成十字形；多个第三凸块电极位于正方形的发光二极管电极的四个...

【专利技术属性】
技术研发人员：丛国芳，
申请(专利权)人：溧阳市东大技术转移中心有限公司，
类型：发明
国别省市：