一种大功率LED芯片的制作方法技术

本发明专利技术采用的技术方案为：提供一种制备大功率LED芯片的方法，在芯片原片背面通过光刻技术留下可供激光隐形切割的切割道，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底的正面具有多个LED芯片；在衬底背面形成具有镂空图形阵列的阻挡层，所述镂空图形的位置与正面的LED芯片逐一对应，所述衬底背面通过所述镂空图形暴露出来；通过阻挡层的镂空图形在衬底背面形成反射镜阵列；移除阻挡层；沿着反射镜阵列之间的间隙切割所述衬底，以获得背面具有反射镜的LED芯片。本发明专利技术的优点在于划片不会伤及反射镜阵列。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氮化镓基发光二极管制造
，尤其涉及一种带高反射率背面反射镜LED芯片的制造方法。
技术介绍
随着20世纪初蓝光LED的诞生，使得白光LED的生产成为可能。近几年LED技术迅猛发展，政府更致力于将LED推向照明光源，以取代原有低光效的白炽灯和有汞污染的荧光灯，节能时代的到来给予LED前所未有的发展前景。目前氮化物半导体LED芯片发光效率提高很快，以蓝光LED作为激发源的白光LED单灯光源效率已达140流明/瓦以上，这远远超出了白炽灯和节能灯的光效。随着LED技术的逐渐成熟和产业化市场化的需要，对LED器件的发光效率及产品价格也有了更加严格的要求。芯片厂家的ODR工艺虽然增加了芯片端的成本但可以大大降低下游封装厂家的对支架的投入，也使下游封装厂在选择支架和产品设计时有了更多选择空间，因此降低了封装的成本。从整个LED单灯的制作上看也降低了单灯的整体成本，从而推动了 LED的市场化和民用化。目前在LED芯片的制作过程中，切割是其中一道关键的工艺，切割是将晶圆分割成一个一个的独立芯片，目前大功率LED芯片的切割工艺有两种:纳秒激光表面切割和皮秒激光隐形切割。现有的主流划本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底的正面具有多个LED芯片；在衬底背面形成具有镂空图形阵列的阻挡层，所述镂空图形的位置与正面的LED芯片逐一对应，所述衬底背面通过所述镂空图形暴露出来；通过阻挡层的镂空图形在衬底背面形成反射镜阵列；移除阻挡层；沿着反射镜阵列之间的间隙切割所述衬底，以获得背面具有反射镜的LED芯片。

【技术特征摘要】
1.一种大功率LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供衬底，所述衬底的正面具有多个LED芯片； 在衬底背面形成具有镂空图形阵列的阻挡层，所述镂空图形的位置与正面的LED芯片逐一对应，所述衬底背面通过所述镂空图形暴露出来； 通过阻挡层的镂空图形在衬底背面形成反射镜阵列； 移除阻挡层； 沿着反射镜阵列之间的间隙切割所述衬底，以获得背面具有反射镜的LED芯片。2.按权利要求1所述的大功率LED芯片的制作方法，其特征在于:所述反射镜为芯片全角反射镜，其制作方法包括采用电子束蒸发或者磁控溅射工艺在衬底背面蒸镀一层以上的双介质膜及多层金属膜。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐琦，郑远志，康建，陈静，盛成功，
申请(专利权)人：马鞍山圆融光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：