发光器件及发光器件封装制造技术

公开了一种发光器件及发光器件封装，该发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括多个发光区域，所述多个发光区域包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一分布式布拉格反射层，布置在所述多个发光区域上；第一电极单元，布置在所述多个发光区域中一个发光区域内的第一半导体层上；第二电极单元，布置在所述多个发光区域中另一个发光区域内的所述第二半导体层上；层间焊垫，布置在所述多个发光区域中至少又一个发光区域内的所述第一半导体层或所述第二半导体层上；以及至少一个连接电极，布置在所述第一分布式布拉格反射层上，以使所述连接电极依序将所述多个发光区域串联连接。本发明专利技术使发光效率得到提高而且能够防止电极脱落或损坏。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及发光器件封装
本专利技术实施例涉及一种发光器件、发光器件封装、照明装置以及显示装置。
技术介绍
基于氮化镓（GaN）的金属有机化学气相沉积以及分子束生长的发展，已经开发出了能够实现高亮度和白光的红光、绿光和蓝光发光二极管（LED）。这些LED不包含在诸如白炽灯或荧光灯之类的传统照明装置中使用的对环境有害的物质（例如，汞（Hg）），因而有利地具有优越的生态友好性，寿命长，而且功耗低，因而被用作传统光源的替代物。这些LED的核心竞争因素在于基于具有高效率和高功率的芯片以及封装技术来实现高亮度。为了实现高亮度，重要的是提高光提取效率。为了提高光提取效率，正在研究使用倒装芯片结构、表面粗化（surfacetexturing）、图案化蓝宝石衬底（PSS）、光子晶体技术、抗反射层结构等的各种方法。一般而言，发光器件可以包括：发光结构，包括布置在衬底上的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；第一电极，用于向第一导电类型半导体层提供第一电力；以及第二电极，用于向第二导电类型半导体层提供第二电力。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种发光效率得到提高而且能够防止电极脱落或损坏的发光器件以及发光器件封装。在一个实施例中，一种发光器件包括：发光结构，包括多个发光区域，所述多个发光区域包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一分布式布拉格（bragg）反射层，布置在所述多个发光区域上；第一电极单元，布置在所述多个发光区域中一个发光区域内的所述第一半导体层上；第二电极单元，布置在所述多个发光区域中另一个发光区域内的所述第二半导体层上；层间焊垫，布置在所述多个发光区域中至少又一个发光区域内的所述第二半导体层上；以及至少一个连接电极，布置在所述第一分布式布拉格反射层上，从而使得所述连接电极依序（sequentially）将所述多个发光区域串联连接。在另一个实施例中，一种发光器件包括：发光结构，包括多个发光区域，所述多个发光区域包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一分布式布拉格反射层，布置在所述多个发光区域上；第一电极单元，布置在所述多个发光区域中一个发光区域内的所述第一半导体层上；第二电极单元，布置在所述多个发光区域中另一个发光区域内的所述第二半导体层上；层间焊垫，布置在所述多个发光区域中至少又一个发光区域内的所述第一半导体层上；以及至少一个连接电极，布置在所述第一分布式布拉格反射层上，从而使得所述连接电极依序将所述多个发光区域串联连接。所述连接电极可以将相邻的发光区域中一个发光区域的所述第一半导体层电连接至所述相邻的发光区域中另一个发光区域的所述第二半导体层。所述第一电极单元和所述第二电极单元中每一个均可以包括用来接收电力的焊垫。所述层间焊垫可以电连接至布置在同一发光区域内的所述连接电极。在所述同一发光区域内的所述第一分布式布拉格反射层上，所述层间焊垫可以与所述连接电极分开。可替代地，在所述同一发光区域内的所述第一分布式布拉格反射层上，所述层间焊垫可以与所述连接电极结合（integrated）在一起。所述连接电极可以包括：第一部分，所述第一部分穿过所述第一分布式布拉格反射层并且与所述相邻的发光区域中一个发光区域内的所述第二半导体层接触；以及第二部分，所述第二部分穿过所述第一分布式布拉格反射层、所述第二半导体层和所述有源层，并且与所述相邻的发光区域中另一个发光区域内的所述第一半导体层接触；其中，所述第一分布式布拉格反射层布置在所述第二部分与所述第二半导体层之间以及所述第二部分与所述有源层之间。所述发光器件还可以包括：衬底，布置在所述发光结构下方；以及导电层，布置在所述发光区域与所述第一分布式布拉格反射层之间。所述连接电极的所述第二部分可以穿过所述导电层。所述第一分布式布拉格反射层可以布置在所述连接电极与所述导电层之间。所述发光器件还可以包括：第二分布式布拉格反射层，布置在所述第一分布式布拉格反射层上，所述第二分布式布拉格反射层覆盖所述连接电极。所述第二分布式布拉格反射层可以暴露出所述第一电极单元、所述第二电极单元和所述层间焊垫。所述第一分布式布拉格反射层和所述第二分布式布拉格反射层每一个均可以包括绝缘体，并且可以包括交替层叠至少一次的至少一个第一层和至少一个第二层，其中，所述第一层的折射率与所述第二层的折射率不同。所述第一电极单元可以接收第一电力，并且所述层间焊垫和所述第二电极单元中的至少一个可以接收第二电力。所述层间焊垫和所述第一电极单元中的至少一个可以接收第一电力，并且所述第二电极单元可以接收第二电力。在另一个实施例中，一种发光器件封装包括：基台；第一金属层和第二金属层，位于所述基台上且彼此间隔开；根据权利要求1或2所述的发光器件，布置在所述基台上；以及第一凸块单元和第二凸块单元，将所述发光器件电连接至所述基台；其中，所述第一凸块单元将所述第一金属层电连接至所述发光器件的所述第一电极单元，所述第二凸块单元将所述第二金属层电连接至所述发光器件的所述第二电极单元和所述层间焊垫其中之一。所述第一凸块单元（bumpunit）可以包括：第一缓冲垫（bumper），布置在所述第一金属层与所述第一电极单元之间；第一反扩散接合层，布置在所述第一缓冲垫与所述第一电极单元之间；以及第二反扩散接合层，布置在所述第一缓冲垫与所述第一金属层之间；并且所述第二凸块单元包括：第二缓冲垫，布置在所述第二金属层与所述第二电极单元和所述层间焊垫其中之一之间；第三反扩散接合层，布置在所述第二缓冲垫与所述第二电极单元和所述层间焊垫其中之一之间；以及第四反扩散接合层，布置在所述第二缓冲垫与所述第二金属层之间。所述发光器件封装还可以包括：第二分布式布拉格反射层，布置在所述第一分布式布拉格反射层上，所述第二分布式布拉格反射层覆盖所述连接电极。附图说明将参照以下附图详细描述排布和实施例，其中，相似的附图标记指代相似的元件，其中：图1是示出根据第一实施例的发光器件的平面图；图2是沿着图1中示出的发光器件的AA’方向截取的剖视图；图3是沿着图1中示出的发光器件的BB’方向截取的剖视图；图4是沿着图1中示出的发光器件的CC’方向截取的剖视图；图5是图1中示出的发光器件的电路图；图6到图8是示出根据第一实施例的变型例的发光器件的剖视图；图9是示出根据第二实施例的发光器件的平面图；图10是沿着图9中示出的发光器件的DD’方向截取的剖视图；图11是沿着图9中示出的发光器件的EE’方向截取的剖视图；图12是图9中示出的发光器件的电路图；图13和图14是示出根据第二实施例的变型例的发光器件的剖视图；图15是示出根据一个实施例的包括发光器件的发光器件封装的剖视图；图16是根据一个实施例的包括发光器件封装的照明装置的分解透视图；以及图17示出根据一个实施例的包括发光器件封装的显示装置。具体实施方式在下文中，通过参考附图从说明书中将清楚地理解实施例。应当理解，当提到元件位于另一个元件“之上”或“之下”时，它可以直接位于该元件之上/之下，而且也可以存在一个或多个插入元件。当提到元件位于“之上”或“之下”时，能够基于该元件而包括“在该元件之下”以及“在该元件之上”。为了描述方便和清楚，在图中，各层的厚度或尺寸被放大、省略或示意性地示出。而且，每个组成元件的尺寸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，包括多个发光区域，所述多个发光区域包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一分布式布拉格反射层，布置在所述多个发光区域上；第一电极单元，布置在所述多个发光区域中一个发光区域内的所述第一半导体层上；第二电极单元，布置在所述多个发光区域中另一个发光区域内的所述第二半导体层上；层间焊垫，布置在所述多个发光区域中至少又一个发光区域内的所述第二半导体层上；以及至少一个连接电极，布置在所述第一分布式布拉格反射层上，以使所述连接电极依序将所述多个发光区域串联连接。

【技术特征摘要】
2011.10.28 KR 10-2011-01113081.一种发光器件，包括：发光结构，包括多个发光区域，所述多个发光区域包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一分布式布拉格反射层，布置在所述多个发光区域上；第一电极单元，布置在所述多个发光区域中一个发光区域内的所述第一半导体层上；第二电极单元，布置在所述多个发光区域中另一个发光区域内的所述第二半导体层上；层间焊垫，布置在所述多个发光区域中至少又一个发光区域内的所述第一半导体层上或所述第二半导体层上；至少一个连接电极，布置在所述第一分布式布拉格反射层上，以使所述连接电极依序将所述多个发光区域串联连接；以及第二分布式布拉格反射层，布置在所述第一分布式布拉格反射层上，所述第二分布式布拉格反射层覆盖所述连接电极。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述连接电极将相邻的发光区域中一个发光区域的所述第一半导体层电连接至所述相邻的发光区域中另一个发光区域的所述第二半导体层。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极单元和所述第二电极单元中每一个均包括用来接收电力的焊垫。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述层间焊垫电连接至布置在同一发光区域内的所述连接电极。5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，在所述同一发光区域内的所述第一分布式布拉格反射层上，所述层间焊垫与所述连接电极分开。6.根据权利要求4所述的发光器件，其中，在所述同一发光区域内的所述第一分布式布拉格反射层上，所述层间焊垫与所述连接电极结合在一起。7.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述连接电极包括第一部分，所述第一部分穿过所述第一分布式布拉格反射层并且与所述相邻的发光区域中一个发光区域内的所述第二半导体层接触。8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述连接电极还包括第二部分，所述第二部分穿过所述第一分布式布拉格反射层、所述第二半导体层和所述有源层并且与所述相邻的发光区域中另一个发光区域内的所述第一半导体层接触；其中，所述第一分布式布拉格反射层布置在所述第二部分与所述第二半导体层之间以及所述第二部分与所述有源层之间。9.根据权利要求8所述的发光器件，还包括：衬底，布置在所述发光结构下方；以及导电层，布置在所述发光区域与所述第一分布式布拉格反射层之间。10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述连接电极的所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱炫承，洪奇锡，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：