一种LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术揭露了一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片的制造方法，在蓝宝石衬底的一面形成外延层，在所述蓝宝石衬底的另一面上形成阵列排布的棱台，并在所述蓝宝石衬底形成有棱台的一面上形成反射层。这样通过在反射层上的二次反射改变光在LED芯片表面的出射角度，反射层和LED的出光面无法形成波导结构，降低全反射几率，从而达到提高光析出率的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED制造
，尤其涉及一种LED芯片及其制作方法。
技术介绍
绿色环保是现代照明发展的一个重要趋势，LED技术的诞生和发展正在引发第二次照明革命。与传统光源相比，LED具有寿命长、光效高、功耗低、体积小、自由集成等优势。在户外显示、景观照明、电视背光、室内照明等应用领域逐渐取代传统光源成为主流。目前，LED制造常用的衬底材料有蓝宝石、碳化硅(SiC)、硅(Si)等。这其中，蓝宝石衬底由于合适的价格、成熟的加工技术，LED制造业中得到了广泛的应用，占据了市场中大量的份额。LED芯片的结构通常包括:蓝宝石衬底、形成于蓝宝石衬底一面的外延结构以及形成于蓝宝石衬底另一面的反射层。由于外延结构具有较高的折射率n (n=2.2 2.4)，LED芯片产生的光有相当一部分在出光面上发生全反射，并被限制在出光面和反射层形成的波导结构中，无法射出形成有效发光，影响了 LED芯片的光析出率和工作效率。目前，业内研发各种技术手段来提高LED芯片的光析出率和工作效率，例如图形化衬底、外延层侧壁腐蚀、光子晶体等技术，但是仍难以满足要求。
技术实现思路
本专利技术提供一种LED芯片及其制作方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片的制造方法，包括：提供蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底的一面形成外延层；在所述蓝宝石衬底的另一面上形成掩膜层；在所述外延层上形成保护层；进行光刻工艺，图形化所述掩膜层，在所述掩膜层中形成阵列排布的图形；以所述掩膜层为掩膜，进行湿法刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底，形成阵列排布的棱台；去除所述掩膜层和保护层，在所述蓝宝石衬底形成有棱台的一面上形成反射层。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的制造方法，包括: 提供监宝石衬底； 在所述蓝宝石衬底的一面形成外延层； 在所述蓝宝石衬底的另一面上形成掩膜层； 在所述外延层上形成保护层； 进行光刻工艺，图形化所述掩膜层，在所述掩膜层中形成阵列排布的图形； 以所述掩膜层为掩膜，进行湿法刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底，形成阵列排布的棱台； 去除所述掩膜层和保护层，在所述蓝宝石衬底形成有棱台的一面上形成反射层。2.如权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于:在形成所述外延层后，形成所述掩膜层和保护层之前，还包括将所述蓝宝石衬底减薄的步骤。3.如权利要求2所述的LED芯片的制造方法，其特征在于:利用研磨工艺对所述蓝宝石衬底减薄，减薄后的蓝宝石衬底的厚度为0.05mm-0.5_。4.如权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于:所述掩膜层和保护层材质为 SiNx*Si02。5.如权利要求4所述的LED芯片的制造方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪洋，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：