LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片及其制作方法，在制作LED芯片的过程中，将柔性基底固定在散热板上，并且，在采用等离子刻蚀工艺对外延层的切割坑道进行刻蚀的过程中，对散热板进行冷却处理，迅速将等离子刻蚀工艺产生的大量热量通过散热板导出，提高了散热效率，进而提高了刻蚀的均匀度，避免了柔性基底弯曲、刻蚀速率不均等情况，提高了产品的良率；同时，通过将柔性基底固定于散热板上，通过散热板和柔性基底的叠加强度大的效果，进一步避免了柔性基底弯曲的情况。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及发光二极管
，更为具体的说，涉及一种LED芯片及其制作方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。近年来，随着对LED芯片研究的不断深入，LED芯片的发光效率得到的极大的提高，目前已经被广泛应用于显示等各个领域。现有在制作LED芯片过程中，经常在采用等离子刻蚀工艺刻蚀更大的切割坑道的过程中，出现刻蚀不均和柔性基底弯曲的情况，降低了产品的良率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种LED芯片及其制作方法，提高了刻蚀过程中的散热效率，将等离子刻蚀工艺产生的大量热量迅速导出，提高了刻蚀的均匀度，避免了柔性基底弯曲的情况，提高了产品的良率。为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：一种LED芯片的制作方法，包括：提供一基材，所述基材包括：衬底；位于衬底任意一表面的外延层，所述外延层被多个切割坑道分割为多个发光微结构，且所述切割坑道内填充有隔离材料；以及，位于所述外延层背离所述衬底一侧的导电反射层；在所述导电反射层背离所述衬底一侧形成柔性基底；将所述衬底自所述外延层表面剥离；将所述柔性基底背离所述外延层一侧固定于一散热板上；采用等离子刻蚀工艺对所述外延层的切割坑道进行刻蚀，以去除所述隔离材料并将所述切割坑道扩大至预设宽度，且同时对散热板进行冷却处理；去除所述散热板，且在所述发光微结构对应的外延层背离所述柔性基底一侧形成连接电极；沿所述切割坑道对所述导电反射层和柔性基底进行切割，以得到多个LED芯片。优选的，所述隔离材料为光敏材料。优选的，在所述导电反射层背离所述衬底一侧形成柔性基底包括：采用电镀工艺在所述导电反射层背离所述衬底一侧形成柔性基底。优选的，所述柔性基底的材质为铜、镍、金、银中的一种或多种。优选的，将所述衬底自所述外延层表面剥离包括：采用激光剥离技术将所述衬底自所述外延层表面剥离。优选的，将所述柔性基底背离所述外延层一侧固定于一散热板上包括：通过粘结方式将所述柔性基底背离所述外延层一侧固定于一散热板上。优选的，所述粘结方式采用的粘结材料为焊锡膏、碳掺杂导电胶、粘性光刻胶或耐热贴片。优选的，所述散热板为黄铜板、蓝宝石板、镍板或不锈钢板。优选的，对散热板进行冷却处理包括：采用液氦循环冷却方式对散热板进行冷却处理。相应的，本专利技术还提供了一种LED芯片，所述LED芯片采用上述制作方法制作而成。相较于现有技术，本专利技术提供的技术方案至少具有以下优点：本专利技术提供的一种LED芯片及其制作方法，包括：提供一基材，所述基材包括：衬底；位于衬底任意一表面的外延层，所述外延层被多个切割坑道分割为多个发光微结构，且所述切割坑道内填充有隔离材料；以及，位于所述外延层背离所述衬底一侧的导电反射层；在所述导电反射层背离所述衬底一侧形成柔性基底；将所述衬底自所述外延层表面剥离；将所述柔性基底背离所述外延层一侧固定于一散热板上；采用等离子刻蚀工艺对所述外延层的切割坑道进行刻蚀，以去除所述隔离材料并将所述切割坑道扩大至预设宽度，且同时对散热板进行冷却处理；去除所述散热板，且在所述发光微结构对应的外延层背离所述柔性基底一侧形成连接电极；沿所述切割坑道对所述导电反射层和柔性基底进行切割，以得到多个LED芯片。由上述内容可知，本专利技术提供的技术方案，将柔性基底固定在散热板上，并且，在采用等离子刻蚀工艺对所述外延层的切割坑道进行刻蚀的过程中，对散热板进行冷却处理，迅速将等离子刻蚀工艺产生的大量热量通过散热板导出，提高了散热效率，进而提高了刻蚀的均匀度，避免了柔性基底弯曲、刻蚀速率不均等情况，提高了产品的良率；同时，通过将柔性基底固定于散热板上，通过散热板和柔性基底的叠加强度大的效果，进一步避免了柔性基底弯曲的情况。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种LED芯片的制作方法流程图；图2a至图2g为图1制作方法流程图对应的结构流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
所述，现有在制作LED芯片过程中，经常在采用等离子刻蚀工艺刻蚀更大的切割坑道的过程中，出现刻蚀不均和柔性基底弯曲的情况，降低了产品的良率。基于此，本申请实施例提供了一种LED芯片的制作方法，提高了刻蚀过程中的散热效率，将等离子刻蚀工艺产生的大量热量迅速导出，提高了刻蚀的均匀度，避免了柔性基底弯曲的情况，提高了产品的良率。具体参考图1至图2g所示，对本申请实施例提供的LED芯片的制作方法进行详细的描述。图1为本申请实施例提供的一种LED芯片的制作方法的流程图，图2a至图2g为图1制作方法流程图对应的结构流程图；其中，制作方法包括：S1、提供一基材。参考图2a所示，提供一基材100，基材包括：衬底101；其中，本申请实施例提供的衬底为蓝宝石衬底；除上述材质衬底外，在本申请其他实施例中衬底还可以为其他材质，对此本申请不做具体限制。位于衬底101任意一表面的外延层102，外延层102被多个切割坑道103分割为多个发光微结构，且切割坑道103内填充有隔离材料；其中，外延层包括位于衬底表面的第一半导体层、位于第一半导体层背离衬底一侧的有源层和位于有源层背离衬底一侧的第二半导体层。第一半导体层可以为N型半导体层，则第二半导体层为P型半导体层；或者，第一半导体层为P型半导体层，而第二半导体层为N型半导体层。第一半导体层、有源层和第二半导体层的材质可以为氮化镓。需要说明的是，本申请实施例对提供的第一半导体层、第二半导体层和有源层的材质不做具体限制，需要根据实际应用进行设计；另外，本申请实施例对于第一半导体层和第二半导体层的导电类型，同样不做具体限制，需要根据实际应用进行设计。此外，本申请实施例提供的隔离材料为光敏材料，具体的，光敏材料为正性光刻胶或负性光刻胶，主要防止后续在外延层表面形成导电反射层时，导电反射层的材质进入切割坑道，进而导致结构上产生的电性问题。以及，位于外延层102背离衬底一侧的导电反射层104，其中，导电反射层可以为金属反射层。S2、在导电反射层背离衬底一侧形成柔性基底。参考图2b所示，形成柔性基底200于导电反射层104背离衬底101一侧。具体的，在导电反射层背离衬底一侧形成柔性基底包括：采用电镀工艺在导电反射层背离衬底一侧形成柔性基底，其中，柔性基底的材质为铜、镍、金、银中的一种或多种。本申请实施例提供的LED芯片为垂直结构发光的芯片，采用散热能力高的柔性基底制作LED芯片，可以使LED芯片发光过程中产生的热量，通过柔性基底更迅速的传递到与其电连接的基板上，改善LED芯片发光时的散本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供一基材，所述基材包括：衬底；位于衬底任意一表面的外延层，所述外延层被多个切割坑道分割为多个发光微结构，且所述切割坑道内填充有隔离材料；以及，位于所述外延层背离所述衬底一侧的导电反射层；在所述导电反射层背离所述衬底一侧形成柔性基底；将所述衬底自所述外延层表面剥离；将所述柔性基底背离所述外延层一侧固定于一散热板上；采用等离子刻蚀工艺对所述外延层的切割坑道进行刻蚀，以去除所述隔离材料并将所述切割坑道扩大至预设宽度，且同时对散热板进行冷却处理；去除所述散热板，且在所述发光微结构对应的外延层背离所述柔性基底一侧形成连接电极；沿所述切割坑道对所述导电反射层和柔性基底进行切割，以得到多个LED芯片。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供一基材，所述基材包括：衬底；位于衬底任意一表面的外延层，所述外延层被多个切割坑道分割为多个发光微结构，且所述切割坑道内填充有隔离材料；以及，位于所述外延层背离所述衬底一侧的导电反射层；在所述导电反射层背离所述衬底一侧形成柔性基底；将所述衬底自所述外延层表面剥离；将所述柔性基底背离所述外延层一侧固定于一散热板上；采用等离子刻蚀工艺对所述外延层的切割坑道进行刻蚀，以去除所述隔离材料并将所述切割坑道扩大至预设宽度，且同时对散热板进行冷却处理；去除所述散热板，且在所述发光微结构对应的外延层背离所述柔性基底一侧形成连接电极；沿所述切割坑道对所述导电反射层和柔性基底进行切割，以得到多个LED芯片。2.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述隔离材料为光敏材料。3.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述导电反射层背离所述衬底一侧形成柔性基底包括：采用电镀工艺在所述导电反射层背离所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾国涛，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44