【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及计算机开关电源
,具体涉及一种服务器子板卡小电流负载开关芯片。
技术介绍
普通用分立元件设计的电源状态转换线路,器件种类繁多,且没有任何保护设置,当前级发生异常不能及时与后级发生断开,造成板卡故障,且漏电流比较大,调试及设计及其不方便,而负载开关芯片将多种分立器件封装在一颗小的芯片中,有效减小了PCB空间,简化原理图设计,有效减少BOM元件数量。场效应晶体管,Field Effect Transistor缩写(FET),简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是:本专利技术提出了一种支持多节点高端计算机系统中的链路检测方法,在多节点进行互连之前,对各个链路状态进行测试。若有故障时给出故障链路指示。该方法的应用,大大降低了故障链路的定位时间,极大的提升了用户的体验感受。本专利技术所采用的技术方案为:一种服务器子板卡小电流负载开关芯片,所述芯片结构包括:导通FET、栅极驱动器、控制逻辑、电荷泵、快速输出放电模块、保护功能模块,其中:导通FET是位于芯片的VIN和VOUT端之间,是负载开关的主要元件,决定了负载开关可处理的最大输入电压和最大负载电流;栅极驱动器以控制方式对导通FET的栅极 ...
【技术保护点】
一种服务器子板卡小电流负载开关芯片,其特征在于,所述芯片结构包括:导通FET(1)、栅极驱动器(2)、控制逻辑(3)、电荷泵(4)、快速输出放电模块(5)、保护功能模块,其中:导通FET(1)是位于芯片的VIN和VOUT端之间,是负载开关的主要元件,决定了负载开关可处理的最大输入电压和最大负载电流;栅极驱动器(2)以控制方式对导通FET(1)的栅极进行充放电,从而控制器件的上升时间;控制逻辑(3)控制了导通FET(1)、栅极驱动器(2)、快速输出放电模块(5)、电荷泵(4)和保护功能模块(6)的接通和关断;电荷泵(4)用于导通FET(1)的负载开关;快速输出放电模块(5)为一个连接VOUT到GND的片上电阻,当通过芯片的ON引脚禁用器件时,该电阻导通,这将对输出节点进行放电,从而防止输出浮空。
【技术特征摘要】
1.一种服务器子板卡小电流负载开关芯片,其特征在于,所述芯片结构包括:导通FET(1)、栅极驱动器(2)、控制逻辑(3)、电荷泵(4)、快速输出放电模块(5)、保护功能模块,其中:导通FET(1)是位于芯片的VIN和VOUT端之间,是负载开关的主要元件,决定了负载开关可处理的最大输入电压和最大负载电流;栅极驱动器(2)以控制方式对导通FET(1)的栅极进行充放电,从而控制器件的上升时间;控制逻辑(3)控制了导通FET(1)、栅极驱动器(2)、快速输出放电模块(5)、电荷泵(4)和保护功能模块(6)的接通和关断;电荷泵(4)用于导通FET(1)的负载开关;快速输出放电模块(5)为一个连接VOUT到GND的片上电阻,当通过芯片的O...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆岩,王武军,
申请(专利权)人:浪潮电子信息产业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:山东;37
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