发光器件制造技术

本发明专利技术公开了发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。所述发光器件包括：第一导电半导体层；包括量子阱和量子势垒并且设置在第一导电半导体层上的有源层；以及在有源层上的第二导电半导体层。有源层包括与第二导电半导体层相邻的第一量子阱、与第一量子阱相邻的第二量子阱、以及在第一量子阱和第二量子阱之间的第一量子势垒。在第二量子阱中的电子-空穴的复合率高于在第一量子阱中的电子-空穴的复合率，以及第一量子阱的能级高于第二量子阱的能级。

【技术实现步骤摘要】
发光器件
实施方案涉及发光器件、其制造方法、发光器件封装件、以及照明系统。
技术介绍
LED(发光器件)是一种将电能转化为光能的元件。例如，LED通过调节化合物半导体的组成比例可产生各种颜色。与常规光源例如荧光灯或者白炽灯相比，基于氮化物半导体薄膜的LED在耗电、寿命、响应速度、安全和环境友好要求方面是有利的。因此，LED的应用已经扩展到LED背光的范围，其可替代构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)、可替代荧光灯或者白炽灯的白色LED照明器件、车辆的头灯以及信号灯。由于氮化物半导体LED的应用已经得到扩展，所以有必要开发高功率和高效率的LED。同时，根据相关技术的包括具有多量子阱结构的有源层的氮化物半导体LED，有源层中的量子阱可无法将注入的载流子均匀地分布，所以仅少数与空穴注入层相邻的量子阱可有助于发光。因此，如果注入大量的电流，可产生未有效地局限于有源层中的额外的电子。这些额外的电子并不有助于发光，而是可在有源层中淬灭或者泄漏出有源层。此外，根据相关技术，电子-空穴的复合主要在与空穴注入层相邻的最后的量子阱中进行。因为最后的量子阱的发光效率低，所以LED的发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：第一导电半导体层；包括量子阱和量子势垒并且设置在所述第一导电半导体层上的有源层；以及在所述有源层上的第二导电半导体层，其中所述有源层包括：与所述第二导电半导体层相邻的第一量子阱；与所述第一量子阱相邻的第二量子阱；以及在所述第一量子阱和第二所述第二量子阱之间的第一量子势垒，在所述第二量子阱中的电子?空穴的复合率高于在所述第一量子阱中的电子?空穴的复合率，以及所述第一量子阱的能级高于所述第二量子阱的能级。

【技术特征摘要】
2011.08.24 KR 10-2011-00847211.一种发光器件，包括：第一导电半导体层；包括量子阱和量子势垒并且设置在所述第一导电半导体层上的有源层；以及在所述有源层上的第二导电半导体层，其中所述有源层包括：与所述第二导电半导体层相邻的第一量子阱；与所述第一量子阱相邻的第二量子阱；以及在所述第一量子阱和所述第二量子阱之间的第一量子势垒，其中所述第一量子势垒的能级高于所述第一量子阱的能级；其中所述第一量子阱的能级高于所述第二量子阱的能级，以及其中所述第一量子势垒的载流子传输能力高于其它量子势垒的载流子传输能力。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一量子阱的组成比例与所述第二量子阱的组成比例不同。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中在所述第一量子阱中的铟的组成比例低于在所述第二量子阱中的铟In的组成比例。4.根据权利要求3所述的发光器件，其中在所述第一量子阱中的铟In的组成比例为9％至10％，在所述第二量子阱中的铟In的组成比例为12％。5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的发光器件，其中所述第一量子阱在比所述第二量子阱的生长温度高的生长温度下生长。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一量子势垒的厚度薄于其它量子势垒的厚度。7.根据权利要求1或权利要求6所述的发光器件，其中在所述第一量子势垒的厚度为3nm至4nm时，其它量子势垒的厚度为6nm。8.根据权利要求6所述的发光器件，其中在所述第一量子阱的能级高于所述第二量子阱的能级时，所述第一量子势垒的厚度足以防止从所述第二导电半导体层注入的载流子的隧穿通过所述第一量子势垒。9.根据权利要求1或权利要求8所述的发光器件，其中在所述第一量子势垒为GaN量子势垒时，所述第一量子势垒的厚度为3nm至4nm，并且防止了载流子隧穿通过所述第一量子势垒。10.根据权利要求6所述的发光器件，其中在所述第一量子阱的能级高于所述第二量子阱的用于电子-空穴的复合能级时，所述第一量子势垒的厚度为允许从所述第二导电半导体层注入的载流子隧穿通过所述第一量子势垒。11.根据权利要求10所述的发光器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：元钟学，罗钟浩，尹才仁，洪训技，沈世焕，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：