【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED
，特别涉及LED外延结构。
技术介绍
自GaN基第三代半导体材料的兴起，蓝光LED研制成功，LED的发光强度和白光发光效率不断提高。LED被认为是下一代进入通用照明领域的新型固态光源，因此得到广泛关注。现有的LED外延结构请参考图1，图1为现有技术的LED外延结构的剖面结构示意图。现有的LED外延结构包括:蓝宝石衬底10 ;缓冲层11，位于所述蓝宝石衬底10上；第一半导体层12，位于所述缓冲层11上，所述第一半导体层12的材质为N型GaN ;多量子阱层13，位于所述N-GaN层12上；第二半导体层14，所述第二半导体层14的材质为P型GaN ；ITO层15，位于所述第二半导体层14上；第一导电电极16，与第一半导体层12电连接；第二导电电极17，与ITO层15电连接。通常，为了将外延结构封装制作形成LED芯片，通常，ITO层15上还会覆盖氧化硅等封装材料层(图中未示出)。利用现有的LED外延结构制作的LED芯片的量子效率偏低，有待进一步的提高。
技术实现思路
本专利技术实施例解决的问题是提供了一种LED外延结构提高了 LED外延结构的量子...
【技术保护点】
一种LED外延结构，包括：衬底，所述衬底上形成有第一半导体层；多量子阱层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，其特征在于，还包括：第三半导体层，位于第二半导体层上，所述第三半导体层的导电类型与第一半导体层的导电类型相同以提高扩展电流分布的均匀性，所述第三半导体层的材质为III?V族化合物。
【技术特征摘要】
1.一种LED外延结构,包括:衬底,所述衬底上形成有第一半导体层；多量子讲层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，其特征在于，还包括: 第三半导体层，位于第二半导体层上，所述第三半导体层的导电类型与第一半导体层的导电类型相同以提高扩展电流分布的均匀性，所述第三半导体层的材质为πι-v族化合物。2.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，还包括:透明粗化层，位于所述第三半导体层上，所述透明粗化层用于使得光线透出，所述透明粗化层的上表面为粗化处理的表面以使得更多的光线透过，所述透明粗化层的折射率介于所述第三半导体层的折射率与所述上表面面对的介质的折射率之间。3.如权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，还包括:封装材料层，位于所述透明粗化层上，所述透明粗化层的折射率介于所述第三半导体层与所述封装材料层的折射率之间。4.如权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层的折射率范围为1.6 2.1。5.如权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层的材质为氧化锡铟、氧化锌、氧化铝锌或上述材料中的至少两种构成的复合材料。6.如权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层包括至少两层:低速沉积层，以较低的沉积速率形成，以提高所述低速沉积层与下方的材料层的结合的强度；高速沉积层，以较高的沉积速率形成，以使得形成的高速沉积层的上表面为粗糙的表面，所述高速沉积层形成于所述低速沉积层的上方，且所述高速沉积层的沉积速率大于所述低速沉积层的沉积速率。7.如权利要求6所述的LED外延结构，其特征在于，所述低速沉积层的厚度范围为10 800埃，所述高速沉积层的厚度范围为500 2000埃。8.如权利要求6所述的LED外延结构，其特征在于，所述低速沉积层的厚度小于所述高速沉积层的厚度。9.如权利要求6所述的LED外延结构，其特征在于，所述低速沉积层的沉积速率为0.5 2埃每秒，所述高速沉积层的沉积速率不小于10埃每秒。10.如权利要求2...
【专利技术属性】
技术研发人员：林翔，马培培，陈勇，梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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