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本发明提供了一种LED外延结构，包括：衬底，所述衬底上形成有第一半导体层；多量子阱层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，还包括：第三半导体层，位于第二半导体层上，所述第...
该专利属于光达光电设备科技（嘉兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过光达光电设备科技（嘉兴）有限公司授权不得商用。

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