表面等离激元电致激发源及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种表面等离激元电致激发源，包括：第一金属层；第二金属层；第一金属层和第二金属层之间的量子阱层；第一金属层和第二金属层之一中的耦合输出结构。本发明专利技术还提供一种表面等离激元电致激发源的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种表面等离激元电致激发源。
技术介绍
表面等离激元(Surface Plasmon)是指在金属-介质界面存在的自由振动的电子与光子相互作用产生的沿着界面传播的电磁波。表面等离激元可以突破衍射极限的限制，给纳米尺度下光子学和微电子学的融合发展提供了平台。在相同频率的情况下，表面等离激元的波矢量大于光波矢量，所以不能直接用光波激发表面等离激元，目前常采用的激发方法是在外光源照射下，通过棱镜耦合、光栅耦合或者单个散射体散射等机制来实现波矢匹配而激发表面等离激元。然而这样的光学激发方式难以满足集成技术高集成度、小体积等方面的要求。对于纳米光电子集成技术来说，采用电激发的方式获得表面等离激元非常重要，具有重要的研究价值和应用前景。目前电致激发表面等离激元源主要有以下几种方案(I)半导体激光器和发光二极管中产生表面等离激元中远红外波段的量子级联半导体激光器是较早获得电致激发表面等离激元的半导体激光器类器件。量子级联激光器中在金属层波导和半导体介质层的界面近场激发产生表面等离激元； 发光二极管利用金属层和半导体外延层的界面上产生的表面等离激元来提高出光效率，同时也可以产生表面等离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面等离激元电致激发源，包括：第一金属层；第二金属层；第一金属层和第二金属层之间的量子阱层；第一金属层和第二金属层之一中的耦合输出结构。

【技术特征摘要】
1.一种表面等离激元电致激发源，包括 第一金属层; 第二金属层； 第一金属层和第二金属层之间的量子讲层； 第一金属层和第二金属层之一中的稱合输出结构。2.根据权利要求1所述的表面等离激元电致激发源，其中量子阱层包括单量子阱或多个量子讲。3.根据权利要求1所述的表面等离激元电致激发源，其中量子阱层为GaAs基材料，第一金属层、第二金属层之间的所有介质层的总厚度在100-140nm内。4.根据权利要求1所述的表面等离激元电致激发源，其中量子阱层为InP基材料，第一金属层、第二金属层之间的所有介质层的总厚度在200-300nm内。5.根据权利要求1所述的表面等离激元电致激发源，其中量子阱层为锑化物基材料，第一金属层、第二金属层之间的所有介质层的总厚度在350-700nm内。6.根据权利要求1所述的表面等离激元电致激发源，其中第一金属层和第二金属层中不具有耦合输出结构的一个被键合到衬底上的键合...

【专利技术属性】
技术研发人员：李敬，徐红星，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：