一种发光二极管外延结构制造技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管外延结构，包括依次设有的衬底层、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、嵌入多量子阱层中的分隔层或延伸至多量子阱层中的n型氮化镓层、以及p型氮化镓层，其中，所述多量子阱层包括交替排列的量子垒与量子阱，所述多量子阱层中部分或全部的量子垒和量子阱与嵌入的分隔层或延伸至其中的n型氮化镓层接触。采用本发明专利技术提出的发光二极管外延结构，能够有效地降低量子阱由于晶格失配和热失配所导致的应力，提高外延层的晶体质量，并可形成量子点，以提高发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电子
，具体涉及一种发光二极管外延结构。
技术介绍
发光二极管的常规外延结构如图1所示，包括依次设有的衬底层1、过渡层2、u型氮化镓层3、η型氮化镓层4、多量子阱层5 (包括量子垒51和量子阱52)和ρ型氮化镓层6，此种结构在生长过程中由于衬底层I和外延层的晶格失配和热失配导致二极管内部存在大量的非辐射缺陷，位错密度达IO9CnT2 10nCm_2，而由此产生的自发极化和压电效应导致强大的内建电场，降低了发光效率，且随着注入电流的增加以及器件使用温度的升高，波长也会发生漂移，发光效率将下降。由此可知，外延结构的生长是发光二极管芯片的关键技术，而量子阱层又是外延层的最重要部分，其决定整个外延层的发光波长与发光效率，因此，降低量子阱层的缺陷密度是提高发光二极管亮度的主要措施之一；同时，因量子点能有效将电子和空穴复合，并发出相应波长的光，因此，在量子阱层形成量子点，也有助于提升发光二极管芯片的发光效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种发光二极管外延结构，以提高发光二极管的发光效率及亮度。本专利技术为了解决上述技术问题，`公开了一种发光二极管外延结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管外延结构，包括依次设有的衬底层、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层和p型氮化镓层，其特征在于，所述多量子阱层包括交替排列的量子垒与量子阱。

【技术特征摘要】
2011.10.25 CN 201110327532.21.一种发光二极管外延结构，包括依次设有的衬底层、过渡层、U型氮化镓层、η型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其特征在于，所述多量子阱层包括交替排列的量子垒与量子讲。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于，在所述多量子阱层中嵌入分隔层，所述多量子阱层中部分或全部的量子垒和量子阱与分隔层接触。3.根据权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于，所述η型氮化镓层延伸至多量子阱层中，所述多量子阱层中部分或全部的量子垒和量子阱与延伸至其中的η型氮化镓层接触。4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管外延结构，其特征在于，所述多量子阱层包括i层交替接触的量子阱与量子垒，其中100。5.根据权利要求4所述 的发光二极管外延结构，其特征在于，所述量子阱的组成为AlyInxGa1-yN (O < x≤ I,O ≤ y ≤I, O ≤ x+y < 1),所述量子鱼的组成为 AlaInbGa1^bN(O ≤彡 a < 1，0 ≤ b <...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鸿建，艾常涛，靳彩霞，董志江，
申请(专利权)人：武汉迪源光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：