【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种GaN基LED的外延结构的生长方法，其特征在于，包括：步骤一，在蓝宝石衬底上依次生长GaN成核层、非故意掺杂u?GaN层、N型掺杂GaN层；步骤二，在所述N型掺杂GaN层之上生长有源区MQW层，生长有源区MQW层时，生长量子阱时的反应室压力小于生长量子垒时的反应室压力，且生长量子阱前和生长完量子阱后各保持一设定时间的纯N2氛围，以及控制有源区MQW层中量子垒的生长厚度小于6nm；步骤三，在有源区MQW层之上再依次生长电子阻挡层、P型掺杂GaN层和接触层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗绍军，艾常涛，靳彩霞，董志江，
申请(专利权)人：武汉迪源光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。