发光二极管外延片及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。该外延片包括：衬底、在衬底上依次向上生长的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个量子阱层，量子垒层与量子阱层相互交替生长，外延片还包括设于多量子阱层和p型层之间的空穴注入层，空穴注入层的禁带宽度大于多量子阱层中最靠近空穴注入层的量子阱层的禁带宽度。本发明专利技术通过设置空穴注入层，在多量子阱层和p型层之间形成一个势阱，该势阱能够聚集从p型层注入到多量子阱层的空穴，然后在外加电压的作用下，将聚集的空穴注入到多量子阱层，从而提高了空穴的注入效率，促进了电子和空穴的辐射复合效率，提高了外延片的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及发光二极管外延片及其制造方法。
技术介绍
半导体发光二极管是一种将电能转化为光能的发光器件，广泛应用于人们的日常生活中。发光二极管芯片为半导体晶体，是发光二极管的核心组件。其中，发光二极管芯片一般包括外延片以及设于外延片上的电极。外延片一般包括衬底、依次层叠在衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，其中，多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个量子阱层，量子垒层与量子阱层相互交替生长。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：现有的发光二极管外延片中，p型层中不同分散能级上的空穴注入多量子阱层具有随机性，该随机性降低了空穴的注入效率，导致多量子阱区辐射复合效率较低，降低了发光二极管的发光效率。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本专利技术实施例提供了一种发光二极管外延片及其制造方法。所述技术方案如下：一方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底、在所述衬底上依次向上生长的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，所述多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个量子阱层，所述量子垒层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底、在所述衬底上依次向上生长的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，所述多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个量子阱层，所述量子垒层与所述量子阱层相互交替生长，其特征在于，所述外延片还包括设于所述多量子阱层和所述p型层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的禁带宽度大于所述多量子阱层中最靠近所述空穴注入层的量子阱层的禁带宽度。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底、在所述衬底上依次向上生长的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，所述多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个量子阱层，所述量子垒层与所述量子阱层相互交替生长，其特征在于，所述外延片还包括设于所述多量子阱层和所述p型层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的禁带宽度大于所述多量子阱层中最靠近所述空穴注入层的量子阱层的禁带宽度；所述外延片还包括设于所述空穴注入层与所述p型层之间的电子阻挡层，所述电子阻挡层的禁带宽度大于所述空穴注入层的禁带宽度；所述空穴注入层为InxGa1-xN层，所述量子阱层为InyGa1-yN层，所述电子阻挡层为p型AlaGa1-aN层，其中，0<x<1，0<y<1，x＜y，0＜a＜1；所述空穴注入层为多层，每层所述空穴注入层的禁带宽度中，最小的禁带宽度不小于所述多量子阱层中最靠近所述空穴注入层的量子阱层的禁带宽度，最大的禁带宽度不大于所述电子阻挡层的禁带宽度，各层所述空穴注入层的InxGa1-xN中x的取值不同且InxGa1-xN的厚度厚薄交替。2.一种发光二极管外延片...

【专利技术属性】
技术研发人员：王明军，魏世祯，胡加辉，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：