多有源区高效率光电子器件制造技术

一种多有源区高效率光电子器件，属于半导体光电子领域，其特征是在多有源区光电子器件中引入间接隧穿结构，通过间接隧穿结构将多个发光单元连接起来，增加了载流子的隧穿几率，成倍地提高了器件的量子效率。该器件结构可用于发光二极管、半导体激光器、多层结构带间探测器、超辐射发光二极管等。

【技术实现步骤摘要】
多有源区高效率光电子器件
在多有源区光电子器件中引入间接隧穿结构，构成多有源区高效率光电子器件，涉及一种新型的光电子器件结构，属于半导体光电子领域。
技术介绍
目前，光电子器件尤其是发光二极管（LED）发展迅速，已在照明领域得到广泛应用，为了将LED应用到室内照明，必须匹配我们常用的220V交流电，而高电压多有源区LED正满足这一要求。通常情况下，实现高压光电子器件的方法是将将一定数量的管芯或器件串联起来，其工艺有两种：①将芯片封装好做成器件后串联；②在芯片制备工艺过程中串联。然而，无论哪种工艺，都必须采用布线，因此工艺过程复杂，串联器件所占空间大，芯片面积大，且由于需要布线，会导致器件的可靠性大大降低。我们提出一种实现多有源区发光高压光电子器件的方法，利用隧道结的反向隧穿效应，将多个发光单元在电学上连接起来，构成多层多有源区结构的的光电子器件。这种器件在工作时，前一个发光单元复合落入P型限制层价带的电子，通过隧道结直接隧穿到下一个发光单元N型限制层的导带（如图1）。这种器件结构突破了“一个电子最多只能产生一个光子”的极限，具有工作电流小、量子效率高、输出功率大、损耗少、成本低、产值本文档来自技高网...

【技术保护点】
多有源区高效率光电子器件，有从下往上依次纵向层叠的衬底（500），缓冲层（400），N+重掺接触层（300），发光区（200），P+重掺接触层（100），其特征在于：在发光区（200）中引入间接隧穿结构（220）。

【技术特征摘要】
1.多有源区高效率光电子器件，有从下往上依次纵向层叠的衬底(500)，缓冲层(400)，N+重掺接触层(300)，发光区(200)，P+重掺接触层(100)，其特征在于：在发光区(200)中引入间接隧穿结构(220)；发光单元(210)为包括GaN、AlGaN、InGaN、SiC、ZnS、ZnO在内的宽禁带材料光电子器件发光单元，或为包括GaAs、InGaAs、AlGaAs在内中等禁带材料光电子器件的发光单元；所述的间接隧穿结构(220)由隧道结N+区(223)、薄层掺杂缺陷区(222)，隧道结P+区(221)由下向上依次层叠组成；有源区(212)为双异质结构或单量子阱结构或多量子阱结构；多个有源区(212)为相同材料或不同材料，发出相同波长或...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈光地，马莉，
申请(专利权)人：沈光地，马莉，
类型：发明
国别省市：