一种双面同时辐射X射线的平板X射线源器件制造技术

本发明专利技术公开了一种双面同时辐射X射线的平板X射线源器件。所述平板X射线源器件包括平行相对的阴极基板、阳极基板和高压绝缘隔离体，所述高压绝缘隔离体设置在阴极基板和阳极基板的边缘，并与所述阴极基板和阳极基板形成一个高真空区。所述阴极基板包括阴极衬底和纳米线冷阴极电子源阵列，所述纳米线冷阴极电子源阵列设置在所述高真空区内的阴极衬底朝向所述阳极基板的一侧，所述阳极基板包括阳极衬底和阳极靶层，所述阳极靶层设于所述高真空区内的阳极衬底朝向阴极基板的一侧。该平板X射线源器件可以双面同时辐射同强度或不同强度的X射线，在新型X射线成像和辐照系统中有重要应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及X射线产生
，尤其涉及一种双面同时辐射X射线的平板X射线源器件。
技术介绍
X射线在医疗成像、安检、无损检测、静电消除、消毒和环境净化等方面有着不可或缺的重要应用。目前，最常用的X射线源器件是热阴极X射线管，其包括作为阴极的热灯丝、作为阳极的金属靶和真空管，热灯丝和金属靶在真空管轴线上相对设置，并分别设置在真空管的两端，利用热灯丝发射电子，电子经过高压加速后轰击在金属靶上产生X射线。一般来说，热阴极X射线管有着工作温度高、响应速度慢、能耗大、寿命短、笨重等缺点，而且需要配备灯丝加热电源和相应的冷却装置。此外，在热阴极X射线管中，X射线产生于金属靶材上很小的区域，出射的X射线呈放射锥束状分布，若要照射大面积物体时，X射线管需要远离目标物体，大大降低了X射线的辐射强度，而且容易导致X射线成像失真。不同于热阴极X射线管，平板X射线源是一种新型的X射线源，它主要包括作为阴极的二维场发射冷阴极电子源阵列(例如碳纳米管阴极阵列)和阳极靶层，二维场发射冷阴极电子源阵列和阳极靶层平行相对设置，放置在定制的真空腔体中，其原理是通过电压控制二维场发射冷阴极电子源阵列发射电子，轰击阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面同时辐射X射线的平板X射线源器件，包括平行相对的阴极基板和阳极基板，其特征在于：还包括高压绝缘隔离体，所述高压绝缘隔离体设置在阴极基板和阳极基板的边缘，并与所述阴极基板和阳极基板形成一个高真空区；所述阴极基板包括阴极衬底和纳米线冷阴极电子源阵列，所述纳米线冷阴极电子源阵列设置在所述高真空区内的阴极衬底朝向所述阳极基板的一侧，所述阳极基板包括阳极衬底和阳极靶层，所述阳极靶层设于所述高真空区内的阳极衬底朝向阴极基板的一侧。

【技术特征摘要】
1.一种双面同时辐射X射线的平板X射线源器件，包括平行相对的阴极基板和阳极基板，其特征在于：还包括高压绝缘隔离体，所述高压绝缘隔离体设置在阴极基板和阳极基板的边缘，并与所述阴极基板和阳极基板形成一个高真空区；所述阴极基板包括阴极衬底和纳米线冷阴极电子源阵列，所述纳米线冷阴极电子源阵列设置在所述高真空区内的阴极衬底朝向所述阳极基板的一侧，所述阳极基板包括阳极衬底和阳极靶层，所述阳极靶层设于所述高真空区内的阳极衬底朝向阴极基板的一侧。2.根据权利要求1所述的平板X射线源器件，其特征在于：所述纳米线冷阴极电子源阵列的结构为无栅结构、带栅结构或带栅聚焦结构。3.根据权利要求2所述的平板X射线源器件，其特征在于：所述纳米线冷阴极电子源阵列的纳米线是氧化锌、氧化铜、氧化钨、氧化钼、氧化铁、氧化钛或者氧化锡纳米线。4.根据权利要求1所述的平板X射线源器件，其特征在于：所述阳极基板还包括抗氧化保护层，所述抗氧化保护层覆盖在阳极靶层上。5.根据权利要求4所述的平板X射线源器件，其特征在于：所述抗氧化保护层为铝膜或者抗高温氧化的合金薄膜。6.根据权利要求4所述的平板X射线源器件，其特征在于：所述的阴极衬底和阳极衬底的厚度为0.1mm-50mm；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈军，陈道坤，张志鹏，张国富，邓少芝，许宁生，佘峻聪，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东;44