根据本发明专利技术的系统从像素电路中读取期望的电路参数，所述像素电路包括发光器件、用于向所述发光器件提供可编程驱动电流的驱动器件、编程输入端和用于存储编程信号的存储器件。提取系统的一个实施例使所述驱动器件关断且将来自外部源的预定电压提供到所述发光器件，使所述发光器件放电直到所述发光器件关断，并接着在所述发光器件关断的同时读取所述发光器件上的电压。可以在不同时间经由相同的外部线读取多个所述像素电路中的所述发光器件上的电压。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般地涉及有源矩阵有机发光器件（AM0LED)显示器，且特别地涉及对此 显示器的驱动器中的像素电路和发光器件中的阈值和迀移率因子的参数的提取。
技术介绍
目前，正引入有源矩阵有机发光器件（"AM0LED"）显示器的优点。这种显示器相 对于传统液晶显示器优点包括低功耗、制造灵活以及刷新速率更快。与传统液晶显示器相 比，AM0LED显示器无背光，因此各个像素由独立发光的不同颜色的0LED组成。0LED基于通 过各个驱动晶体管提供的电流而发光，这些驱动晶体管由各个编程电压控制。各个像素的 功耗与该像素中产生的光的大小有关。 基于0LED的像素中的输出质量受驱动晶体管及0LED本身的性能的影响，驱动晶 体管通常由包括但不限于非晶硅、多晶硅或金属氧化物等的材料制成。尤其，随着像素的老 化，驱动晶体管的阈值电压和迀移率均会变化。为了保持图像质量，必须通过调整编程电压 来补偿这些参数的变化。为了实施该过程，必须从驱动电路中提取这些参数。为在简单驱 动电路中提取这些参数而增加的元件需要在显示器基板上为该驱动电路占用更多的空间， 因此减少了从0LED发光的孔径或面积的大小。 当偏置在饱和时，薄膜驱动晶体管的I-V特性取决于迀移率和阈值电压，该迀移 率和阈值电压是用于制造晶体管的材料的函数。因此，受老化和迀移率和阈值电压的工艺 偏差的影响，在整个显示器面板上设置的不同薄膜晶体管器件可呈现出不一致的行为。于 是，对于恒定的电压，各个器件可具有不同的漏极电流。在极端示例中，一个器件可具有低 阈值电压和低迀移率，相反地，第二个器件可具有高阈值电压和高迀移率。 因此，当仅使用很少的电子元件来保持所需的孔径时，对驱动TFT和0LED的非一 致性参数（即，阈值电压V th和迀移率的提取变得具有挑战性。期望以尽可能少的元件 提取0LED像素的驱动电路中的这类参数以使像素孔径最大化。
技术实现思路
在用于从像素电路中提取电路参数的另一个实施例中，编程像素电路，使驱动器 件导通，并通过下列方式提取驱动器件的参数：（i)将预定电压施加至驱动器件的同时读 取驱动器件中流过的电流，或者（ii)在使预定电流流过驱动器件的同时读取驱动器件上 的电压。 在用于从像素电路中提取电路参数的又一个实施例中，使驱动器件导通，且在改 变驱动晶体管的栅极与源极之间或栅极与漏极之间的电压以使驱动晶体管在第一时间间 隔期间在线性区域中操作并在第二时间间隔期间在饱和区域中操作的同时，测量驱动晶体 管的电流和电压，以及根据在上述两个区域中操作的驱动晶体管的所测量的电流和电压的 关系，提取发光器件的参数。 在披露的一个用于从像素电路中读取期望的电路参数的实施例中，像素电路包括 发光器件、用于向发光器件提供可编程驱动电流的驱动器件、编程输入端和用于存储编程 信号的存储器件。提取方法包括：使驱动器件关断，并将来自外部源的预定电压提供到发光 器件，使发光器件放电，直到发光器件关断，并接着在发光器件关断的同时，读取发光器件 上的电压。在一个实施中，在不同时间经由相同的外部线读取多个像素电路中的发光器件 上的电压。期望参数的读取可以通过下列操作来实现：使像素电路连接至电荷栗放大器，使 电荷栗放大器与像素电路隔离，以提供与来自像素电路的电荷电平或积分电流成比例的电 压输出，读取电荷栗放大器的电压输出，并根据电荷栗放大器的电压输出确定至少一个像 素电路参数。 在用于从像素电路中提取电路参数的另一个实施例中，使驱动器件导通，使得发 光器件的电压升高到比发光器件的导通电压高的电平，使所述驱动器件关断，使得发光器 件上的电压通过发光器件放电，直到发光器件关断，并接着在发光器件关断的同时，读取发 光器件上的电压。 披露的一个用于从像素电路中读取期望的电路参数的实施例中，像素电路包括发 光器件、用于向发光器件提供可编程驱动电流的驱动器件、编程输入端和用于存储编程信 号的存储器件。提取方法包括：使驱动器件关断且将来自外部源的预定电压提供到发光器 件，使发光器件放电，直到发光器件关断，并接着在发光器件关断的同时，读取发光器件上 的电压。在一个实施中，在不同的时间经由相同的外部线路读取多个像素电路中的发光器 件上的所述电压。期望参数的读取可以通过下列操作实现：使像素电路连接至电荷栗放大 器，使电荷栗放大器与像素电路隔离，以提供与来自像素电路的电荷电平或积分电流成比 例的电压输出，读取电荷栗放大器的电压输出，并根据电荷栗放大器的电压输出确定至少 一个像素电路参数。 在用于从像素电路中提取电路参数的另一个实施例中，使驱动器件导通，使得发 光器件的电压升高到比发光器件的导通电压高的电平，使驱动器件关断，使得发光器件上 的电压通过发光器件放电，直到发光器件关断，并接着在发光器件关断的同时，读取发光器 件上的电压。 在用于从像素电路中提取电路参数的另一个实施例中，编程像素电路，使驱动器 件导通，并通过下列方式提取驱动器件的参数：（i)在将预定电压施加到驱动器件的同时， 读取驱动器件中流过的电流，或（ii)在使预定电流路过驱动器件的同时，读取驱动器件上 的电压。 在用于从像素电路中提取电路参数的又一个实施例中，使驱动器件导通，且在改 变驱动晶体管的栅极与源极之间或栅极与漏极之间的电压以使驱动晶体管在第一时间间 隔期间在线性区域中操作并在第二时间间隔期间在饱和区域中操作的同时，测量驱动晶体 管的电流和电压，以及根据在上述两个区域中操作的驱动晶体管的所测量的电流和电压的 关系，提取发光器件的参数。 对本领域的普通技术人员而言，参照附图对各种实施例和/或方面进行的详细说 明，本专利技术的上述及其它方面和实施例将是显而易见的。下面将对附图进行简要说明。【附图说明】 通过阅读下面的详细说明并参照附图，本专利技术的上述和其它优点将会变得显而易 见。 图1是具有补偿控制的AM0LED显示器的框图。 图2是用于图1中的AM0LED显示器中的二晶体管像素的数据提取电路的电路图。 图3A是施加至数据提取电路以提取图2中的n型驱动晶体管的阈值电压和迀移 率的信号的信号时序图。 图3B是施加至数据提取电路以提取图2中的具有n型驱动晶体管的0LED的特征 电压的信号的信号时序图。 图3C是施加至用于直接读取的数据提取电路以提取图2中的n型驱动晶体管的 阈值电压的信号的信号时序图。 图4A是施加至数据提取电路以提取图2中的p型驱动晶体管的阈值电压和迀移 率的信号的信号时序图。 图4B是施加至数据提取电路以利用p型驱动晶体管提取图2中的0LED的特征电 压的信号的信号时序图。 图4C是施加至用于直接读取的数据提取电路以提取图2中的p型驱动晶体管的 阈值电压的信号的信号时序图。 图4D是施加至数据提取电路以通过使用图2中的n型或p型驱动晶体管来直接 读取0LED的导通电压的信号的信号时序图。 图5是图1中的AM0LED显示器中的一个像素的三晶体管驱动电路的用于提取参 数的数据提取电路的电路图。 图6A是施加至数据提取电路以提取图5中的驱动晶体管的阈值电压和迀移率的 信号的信号时序图。 图6B是施加至数据提取电路以提取图5中的0LED的特征电压的信号的信号时序 图。 图6C是施加至用于直接读取的数据提取电路以提取图5中本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于从像素电路中提取电路参数的方法，所述像素电路包括发光器件、用于向所述发光器件提供可编程驱动电流的驱动器件、编程输入端和用于存储编程信号的存储器件，所述方法包括：使所述驱动器件导通，使得所述发光器件的电压升高到比所述发光器件的导通电压高的电平，使所述驱动器件关断，使得所述发光器件的电压通过所述发光器件放电，直到所述发光器件关断，以及在所述发光器件关断的同时，读取所述发光器件上的电压。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：戈尔拉玛瑞扎·恰吉，里基·依克·黑·奈根，尼诺·扎西洛维奇，亚沙尔·阿齐兹，
申请(专利权)人：伊格尼斯创新公司，
类型：发明
国别省市：加拿大;CA
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